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J-GLOBAL ID：201702215782870208   整理番号：17A0057877

4°軸外Si面基板上に成長させた厚い4H-SiCエピタキシャル層の形態欠陥の研究【Powered by NICT】

Study of morphology defects in 4H-SiC thick epitaxial layers grown on 4° off-axis Si-face substrates

著者 (7件)： Yan Guoguo (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhang Feng (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Liu Xingfang (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Wang Lei (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhao Wanshun (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Sun Guosheng (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Key Yiping Zeng (Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No. A35, QingHua East Road, Haidian District, Beijing P R China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 6-10  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4°軸外Si面厚い4H-SiCエピタキシャル層中の観察された形態欠陥の結晶学的構造と起源をNomarski顕微鏡とRaman分光法により調べた。これら形態欠陥の成長方向はステップフロー方向と一致している,すべての欠陥のあるコア,欠陥があるコアから生じたことを示しているが含まれている。形態欠陥のこれらのコアはRaman分光法特性化に基づく3C多結晶粒子を含んでいた。エピタキシャル層成長とそれらの形成中に形成された欠陥の頭部は異物に起因する。これら鈍角形態欠陥の生成機構を著者らのモデルに基づいて議論した。異物は正常ステップフローモードを妨害する4H-SiCエピタクシー中の表面上に落下することが結論されたおよび3C-SiC核形成,形態欠陥の発生につながる可能性がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： Raman分光法 ,  キャラクタリゼーション ,  エピタクシー ,  結晶学 ,  多結晶 ,  *ケイ素 ,  核形成 ,  顕微鏡
準シソーラス用語： 3C-SiC ,  生成機構 ,  *エピタキシャル層 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  成長 ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  形態 ,  欠陥 ,  研究