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J-GLOBAL ID：201702215821028482   整理番号：17A0769156

原子層堆積HfO_2誘電体における自己集合二重層Auナノ結晶を埋め込んだ金属-酸化物-シリコンキャパシタのメモリ効果【Powered by NICT】

Memory Effect of Metal-Oxide-Silicon Capacitors with Self-Assembly Double-Layer Au Nanocrystals Embedded in Atomic-Layer-Deposited HfO_2 Dielectric

著者 (6件)： HUANG Yue (School of Microelectronics, Fudan University) ,  GOU Hong-Yan (School of Microelectronics, Fudan University) ,  SUN Qing-Qing (School of Microelectronics, Fudan University) ,  DING Shi-Jin (School of Microelectronics, Fudan University) ,  ZHANG Wei (School of Microelectronics, Fudan University) ,  ZHANG Shi-Li (School of Microelectronics, Fudan University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 10  ページ： 200-202  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メモリ応用のための(3-アミノプロピル)-トリメトキシシラン事前によるアミノシラン化原子層堆積HfO_2膜上のAuナノ結晶の化学自己組織化成長を報告した。得られたAuナノ結晶は,密度約4×10(11)cm( 2),直径範囲5~8nmのを示した。HfO2誘電体に埋め込まれた二重層Auナノ結晶を含む金属-酸化物-シリコンキャパシタは1MHz,7V I msで電気的ストレス後に1.5Vの平坦バンド電圧シフト,9Vで2.9×10( 8)cm( 2)の漏れ電流密度と室温で掃引±11Vゲート電圧11.9Vの大きなC Vヒステリシス窓を示した。単層Auナノ結晶と比較して,二重層Auナノ結晶はヒステリシス窓を有意に増加させると,その基礎となる機構を論じた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *金 ,  *記憶効果 ,  *誘電体 ,  *ナノ結晶 ,  *記憶装置 ,  酸化ハフニウム ,  ヒステリシス ,  *自己集合 ,  電圧変動 ,  *酸化物 ,  単一層 ,  *二重層
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  漏れ電流密度 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： 英語キーワードはない

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (10件)： 原子層堆積 ,  誘電体 ,  自己集合 ,  二重層 ,  Au ,  ナノ結晶 ,  酸化物 ,  シリコン ,  キャパシタ ,  メモリ効果