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J-GLOBAL ID：201702215920481509   整理番号：17A0313231

検出器応用のための数純B多重ガードリング構造【Powered by NICT】

PureB multi-guard ring structures for detector applications

著者 (4件)： Golshani Negin (ECTM, DIMES, Faculty of Electrical Engineering (EWI), Delft University of Technology (TU Delft), Feldmannweg 17, POBox 5053, 2628 CT Delft, The Netherlands) ,  Derakhshandeh J. (ECTM, DIMES, Faculty of Electrical Engineering (EWI), Delft University of Technology (TU Delft), Feldmannweg 17, POBox 5053, 2628 CT Delft, The Netherlands) ,  Beenakker C.I.M. (ECTM, DIMES, Faculty of Electrical Engineering (EWI), Delft University of Technology (TU Delft), Feldmannweg 17, POBox 5053, 2628 CT Delft, The Netherlands) ,  Ishihara R. (ECTM, DIMES, Faculty of Electrical Engineering (EWI), Delft University of Technology (TU Delft), Feldmannweg 17, POBox 5053, 2628 CT Delft, The Netherlands)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 160  ページ： 54-62  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 破壊電圧はシリコンドリフト検出器(SDD)のようなX線検出器の設計における重要なパラメータである。SDDではウエハの全厚さはX線の種々のエネルギーの検出を可能にするために枯渇しなければならない。漏れ電流を低く保ちながら高電圧を完全に空乏化した領域を持つことが要求される。マルチガード環構造を成長させたPureB層を用いた低漏れ電流と高絶縁破壊電圧の両方を満たすように設計されている。低い漏れ電流を得るために,PureB層を使用した。多重ガードリング構造では,ギャップ幅,環の数と酸化物との金属電界板の重なりのようなパラメータは,より高い破壊電圧を得るために設計した。ギャップサイズ,酸化物電荷,バルクドーピング濃度とフィールドプレート設計のようなパラメーターは,ガードリングの電位分布に影響を及ぼす。設計した構造は,検出器の3nA/cm~2の範囲の非常に低い漏れ電流の限界測定システム(1100V)まで動作する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電場 ,  計測システム ,  漏れ電流 ,  *検出器 ,  電荷 ,  環状構造 ,  *多重化 ,  X線検出器 ,  酸化物 ,  電位分布 ,  X線
準シソーラス用語： フィールドプレート ,  シリコンドリフト検出器 ,  絶縁破壊電圧 ,  *ガードリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ホウ素層 ,  絶縁破壊電圧 ,  マルチガードリング ,  なだれブレークダウン ,  X線検出器 ,  シリコンドリフト検出器

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 検出器 ,  応用 ,  多重 ,  ガードリング