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J-GLOBAL ID：201702215950442843   整理番号：17A0851264

p型チャネル酸化すず薄膜トランジスタに対するプラズマふっ素化の影響【Powered by NICT】

Influence of plasma fluorination on p-type channel tin-oxide thin film transistors

著者 (5件)： Chen Po-Chun (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan) ,  Chiu Yu-Chien (Department of Electronics Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Zheng Zhi-Wei (Department of Electronic Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China) ,  Cheng Chun-Hu (Department of Mechatronic Engineering, National Taiwan Normal University, Taipei 10610, Taiwan) ,  Wu Yung-Hsien (Department of Engineering and System Science, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 707  ページ： 162-166  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO活性チャネル層に及ぼすふっ素プラズマ処理を用いた高性能p型酸化スズ(SnO)薄膜トランジスタ(TFT)について述べた。このp型SnO薄膜トランジスタ(TFT)デバイスのためのフッ素プラズマ処理の影響も調べた。低温でSnO活性チャネル層に処理したフッ素プラズマ電力を調整することにより,最適p型SnO TFTデバイスは<3Vの低駆動電圧で非常に高いオン/オフ電流比9.6×10~6の2.13cm~2V~ 1s~ 1の電界効果移動度,106mV/decの超低サブスレッショルドスイングと1pAの非常に低いオフ状態電流を示した。これらの優れた特性は,結晶化したチャネル粗さを減少させ,酸素空孔と界面トラップを不動態化したことをp型SnOチャネルに及ぼすふっ素プラズマ処理に起因すると考えられる。活性チャネルに及ぼすふっ素プラズマ処理を用いた高性能p型SnO TFTデバイスは,将来の高分解能と高速ディスプレイ応用のための大きな可能性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *プラズマ ,  結晶化 ,  低温 ,  *チャネル ,  高分解能 ,  *フッ素化 ,  *酸化スズ ,  電流 ,  *フッ素 ,  *薄膜トランジスタ ,  表示装置 ,  プラズマ処理 ,  不動態化
準シソーラス用語： 酸素空格子点 ,  電界効果移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜トランジスタ(TFT) ,  酸化スズ(SnO) ,  p型 ,  プラズマふっ素化

分類 (3件)： 静電機器  (NB10020R) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  押出  (WC04020A)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  酸化すず ,  薄膜トランジスタ ,  プラズマ ,  ふっ素化