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J-GLOBAL ID:201702216053054657   整理番号:17A0274521

Cu(In,Ga)Se_2太陽電池に及ぼす高蒸着温度での高品質Zn(S,O)バッファ層の作製のための新しいルート【Powered by NICT】

New Route for Fabrication of High-Quality Zn(S,O) Buffer Layer at High Deposition Temperature on Cu(In,Ga)Se$_2$ Solar Cells
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 651-655  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Cu(In,Ga)Se_2(CIGS)太陽電池の無Cdバッファ層を用いたデバイスの電力変換効率を改善するための,大量生産のためのCdの環境問題を解くのに非常に重要である。CdSへの最も有望な代替物の一つとしてZn(S,O)バッファ層は,より高い短絡電流密度J_SCがCIGSと不適切なエネルギー整列に起因するはるかに低い開回路電圧V_OCを示した。本研究では,効果的に静止気泡を除去し,高温での高品質Zn(S,O)薄膜の成長を可能にする新しい化学浴堆積プロセスを開発した。95°Cで成長させたZn(S,O)バッファ層を持つデバイスは,CdSバッファ層を有するデバイスのそれに匹敵するV_OCを示した。系統的特性化の結果は,この方法が大きな酸素濃度を有するZn(S,O)バッファ層とCIGS層,改善されたV_OCと電力変換効率を良く説明すると良好なバンド整列をもたらすことを示唆する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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太陽電池 

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