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J-GLOBAL ID:201702219236663720   整理番号:17A0662641

45°マイクロミラー応用のためのKOH+Triton X-100におけるシリコンの異方性エッチング

Anisotropic etching of silicon in KOH + Triton X-100 for 45° micromirror applications
著者 (2件):
資料名:
巻: 23  号:ページ: 1463-1473  発行年: 2017年05月 
JST資料番号: W2056A  ISSN: 0946-7076  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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シリコンのバルクマイクロマシニングは,マイクロ電気機械システム(MEMS)およびマイクロオプトエレクトロメカニカルシステム(MOEMS)などのマイクロシステムの空間構造を製造する一般的な方法である。本論文では,Triton X-100界面活性剤を含むKOH溶液中のSi(100)および(110)基板の異方性エッチングの結果を示し,検討した。温度を下げるとエッチング速度が低下し,Si(hkl)面の表面形態が改善されることを示した。エッチング速度のアレニウスプロットに基づいて,Si(100)および(110)面の活性化エネルギーを決定した。得た活性化エネルギーは,文献に報告されている純粋なKOH溶液の活性化エネルギーよりも低かった。この現象の可能な説明として,界面活性剤の温度依存性に基づく吸着と考えた。さらに,異なる温度でエッチングした微細構造の凸コーナーはわずかに湾曲しており,おそらく{221}平面に隣接する平面によって形成されていることを証明した。さらに,Si(100)基板に対して45°傾斜した{110}側壁は,考えられる温度(60-90°C)の全範囲において低い表面粗さを特徴とした。したがって,{110}側壁は,光ビームを90°の角度で反射するためのMEMSマイクロミラーとして使用することができた。Triton X-100を閉じ込めるKOH溶液は,45°マイクロミラーおよび導波路を同時に含む細長いメサ構造を製造するために特に重要であることを示した。
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  表示機器 
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