パラメータプロセスの制御による化学蒸着により堆積したパリレンDの化学的,物理的,および電気的性質の改善【Powered by NICT】

Mokni M.; Mokni M.; Kahouli A.; Kahouli A.; Jomni F.; Garden J.-L.; Andre E.; Sylvestre A.

文献

J-GLOBAL ID：201702219490876378 整理番号：17A0403376

パラメータプロセスの制御による化学蒸着により堆積したパリレンDの化学的,物理的,および電気的性質の改善【Powered by NICT】

Improvement of chemical, physical, and electrical properties of parylene-D deposited by chemical vapor deposition by controlling the parameters process

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=17A0403376&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=17A0403376&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0934A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 186 ページ： 598-611 発行年： 2017年
JST資料番号： E0934A ISSN： 0254-0584 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

表面形態上に化学蒸着(CVD)パラメータとパリレンD(ポリジクロロキシリレンと呼ばれるまたはPPX D)膜の分子構造の影響を調べた。関連プロセスパラメータは昇華温度,熱分解温度,成長速度,および析出過程の時間により定義される。温度が120から160°Cに上昇すると昇華温度は約4倍に増加し,層の成長速度に強く影響するパリレンDは析出できない昇華温度は105°Cであると推定した。本CVD実験パラメータは,適切な昇華温度は非晶質および結晶量の良好な制御から十ナノメートルの範囲で,少なくとも8μmまでの層厚さの制御された成長をもたらすことができることを示した。昇華温度は高さは,ほぼ非晶質パリレンDが得られた。しかし,二量体Tサブが減少すると結晶度はかなり増加した。表面粗さの減少はTと堆積速度を減少させることにより達成した。これらの実験条件は,ち密かつ透明なパリレンD膜まで上昇した。昇華温度に比べて表面で球の熱分解温度し好高まっている。球のサイズはT_pyr=650°Cで1.3μmから13.7μmにT_pyr.=690°C結晶性含有量と結晶サイズは熱分解温度の増加により減少することも推定した。電気特性は,特に熱分解温度を変化させることによる化学蒸着法による調製パラメータによって非常に影響を受けた。これらの最適条件を用いて,有望な特性を持つ最新のパリレンD膜が再現性良く処理される。これらの結果は,大規模アプリケーションドメインに適合するプロセス変数の範囲を拡大した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

, , , , , , , , , , ,
, , , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： , , , , ,

塩基,金属酸化物 , 酸化物薄膜

, , , , , , ,

前のページに戻る