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J-GLOBAL ID：201702219563585151   整理番号：17A0204188

n型シリコンの光支援電気化学的エッチングによる無秩序壁アレイ【Powered by NICT】

Disordered wall arrays by photo-assisted electrochemical etching in n-type silicon

著者 (5件)： Lei Yaohu (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University) ,  Zhao Zhigang (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University) ,  Guo Jinchuan (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University) ,  Li Ji (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University) ,  Niu Hanben (College of Optoelectronic Engineering, Shenzhen University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 10  ページ： 106001-1-106001-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光支援電気化学的エッチングの使用によるシリコン中の秩序化,高アスペクト比微細構造の作製は重要な技術であり,電圧と電流密度は重要な因子である。本論文では,大電流密度を使用したとき無秩序壁は5インチn型シリコンウエハに現れた。空間電荷領域の理論に基づいて,これらの無秩序壁は高い印加電圧による溶解と高電流密度による溶解からの保護の間の矛盾によって引き起こされる。この点を検証するために,壁アレイは,種々の印加電圧及び電流密度で作製した。さらに,臨界電圧は一定に保ち,種々の電流密度は無秩序壁を回避し,均一な壁アレイを達成するための条件を得るために適用した。最後に,5.6μmの周期と深さ55μmの壁アレイは3Vの印加電圧と単調に増加する電流密度22.9から24.5mA~2の範囲で達成された。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  空間電荷 ,  *エッチング ,  電流密度 ,  微細構造 ,  臨界電圧 ,  *電気化学 ,  印加電圧 ,  シリコンウエハ ,  高アスペクト比

著者キーワード (5件)： 電気化学エッチング ,  壁アレイ ,  高アスペクト比 ,  シリコン ,  無秩序壁

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： N型シリコン ,  支援 ,  電気化学 ,  エッチング ,  アレイ