文献

J-GLOBAL ID：201702219655135141   整理番号：17A0191788

直接接合技術を用いたp-ZnTe/n-ZnOヘテロ接合界面の作製と電気特性評価

著者 (6件)： 秋山肇 (佐賀大学大学院工学系研究科) ,  内海淳 (三菱重工工作機械(株)) ,  田中徹 (佐賀大学大学院工学系研究科) ,  齊藤勝彦 (佐賀大学大学院工学系研究科) ,  西尾光弘 (佐賀大学大学院工学系研究科) ,  Guo Qixin (佐賀大学大学院工学系研究科)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 136  号： 12  ページ： 1761-1766(J-STAGE)  発行年： 2016年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ヘテロ接合野形成を目的とした各種薄膜形成法とは別のアプローチである直接接合法を試み,n型ZnO基板とp型ZnTe基板野接合によるPN接合界面の作製を実験的に検証した。TEMとEDXの結果から接合界面が原子レベルで一体化していることを確認した。ついでダイオード構造としての電気特性(I-V,C-V)を評価したところダイオードとしての基本的な整流特性が確認された。同特性は,直接接合法のプロセスパラメータによる影響を受けており,ポストアニールの高温化に加え,圧接状態を保持した接合時間の延長により,整流特性が改善される傾向を示している。

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *界面 ,  *接合部 ,  PN接合 ,  酸化亜鉛 ,  テルル化亜鉛 ,  電気特性 ,  ダイオード ,  *特性
準シソーラス用語： *ダイオード特性 ,  *接合界面

著者キーワード (12件)： 直接接合法 ,  活性表面 ,  アルゴンビーム衝撃 ,  ヘテロ接合 ,  ZnTe ,  ZnO ,  Direct bonding technology ,  surface activation ,  argon-ion bombardment ,  Hetero junction ,  ZnTe ,  ZnO

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (29件)：

• (1) J. A. Garcia, A. Remón, V. Muñoz, and R. Triboulet : “Photoluminescence study of radiative transitions in ZnTe bulk crystals”, J. Cryst. Growth, Vol. 191, pp. 685-691 (1998)
• (2) M. Nishio, Q. X. Guo, and H. Ogawa : “Ohmic contacts to p-type ZnTe using electroless Pd”, Thin Solid Films, Vol. 343-344, pp. 508-511 (1999)
• (3) M. Nishio, K. Hayashida, Q. X. Guo, and H. Ogawa : “Growth rate characteristics and photoluminescence properties of ZnTe in MOVPE system”, Appl. Surf. Sci., Vol. 169-170, pp. 227-230 (2001)
• (4) Q. X. Guo, T. Tanaka, M. Nishio, H. Ogawa, X. Mei, and H. Ruda : “Cathodoluminescence study of highly ordered arrays of InGaAs quantum dots”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, pp. 7297-7300 (2002)
• (5) Q. X. Guo, Y. Matsumoto, S. Wang, T. Tanaka, M. Nishio, and H. Ogawa : “Effects of dry processing on optical properties of zinc telluride”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 41, pp. 5069-5072 (2002)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直接接合 ,  ヘテロ接合界面 ,  作製 ,  電気特性 ,  評価