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J-GLOBAL ID：201702219901826446   整理番号：17A0401077

高出力パルスマグネトロンスパッタリングにより作製したCu膜のプラズマ特性と性質【Powered by NICT】

Plasma characteristics and properties of Cu films prepared by high power pulsed magnetron sputtering

著者 (10件)： Wu B.H. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Wu J. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Jiang F. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Jiang F. (State Key Laboratory of Physical Chemistry of Surfaces, Jiangyou, Sichuan, 621700, China) ,  Ma D.L. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Chen C.Z. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Chen C.Z. (School of Mechanical Engineering, Jingchu University of Technology, Jingmen, 448000, China) ,  Sun H. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Leng Y.X. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China) ,  Huang N. (Key Laboratory of Advanced Technologies of Materials, Ministry of Education of China, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu, 610031, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 135  ページ： 93-100  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 銅(Cu)は,その低い抵抗率,高い化学的安定性,優れたエレクトロマイグレーション抵抗のために,Siベース半導体デバイスのメタライゼーションのための良く知られた材料として提案されている。Cu膜の特性をさらに改善するために,膜は基板バイアス電圧を変化させて高出力パルスマグネトロンスパッタリング(HPPMS)を用いてSi(100)基板上に堆積した。Cuプラズマ特性と膜特性も調べた。電子とイオンは,基板上の全体的な種の電流に寄与していることが分かった。開始と正イオンパルスの終わりに大部分を寄与での種の電流を支配している電子。基板バイアスが 17.3V(フローティング電圧)から 100Vに増加すると,電子電流は徐々に減少し,一方,イオン電流が増加し,最終的に 50Vで安定化しかし, 50Vから 100Vの範囲で蒸着したCu膜とは対照的に,堆積速度,引張応力と浮遊電圧から 50Vに堆積したCu膜の集合組織の変化はほとんど差を示した。 50Vで堆積したCu膜と比較して, 100Vで堆積した膜はより高い引張応力と優れた(111)集合組織を示した。Cu膜の電気抵抗率は, 100Vで1.79μΩ・cmの最小値に達した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： メタライゼーション ,  *銅 ,  電流 ,  エレクトロマイグレーション ,  イオン電流 ,  集合組織 ,  ケイ素 ,  堆積速度 ,  電気抵抗率 ,  *パルス ,  引張応力
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  基板バイアス ,  *プラズマ特性 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高出力パルスマグネトロンスパッタリング ,  Cu膜 ,  バイアス電圧 ,  種の電流 ,  高電気抵抗率

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高出力 ,  パルス ,  マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  Cu ,  プラズマ特性 ,  性質