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J-GLOBAL ID：201702219987586509   整理番号：17A0446009

押込法に基づくSiCセラミック基板上の酸化膜の特性化【Powered by NICT】

Characterization of oxidation film on SiC ceramic substrate based on indentation method

著者 (6件)： Qu Zhaoliang (College of Engineering, Peking University, Beijing 100871, P. R. China) ,  Zhang Qiang (College of Engineering, Peking University, Beijing 100871, P. R. China) ,  He Rujie (Institute of Advanced Structure Technology, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China) ,  Pei Yongmao (College of Engineering, Peking University, Beijing 100871, P. R. China) ,  Fang Daining (College of Engineering, Peking University, Beijing 100871, P. R. China) ,  Fang Daining (Institute of Advanced Structure Technology, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, P. R. China)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 43  号： 5  ページ： 4399-4404  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCセラミック基板上の酸化膜の性質を特性化するために提案した押込法。この方法では,異なる最大押込深さによる酸化膜上の押込試験のシリーズを実施した。接触深さの逆数と減少した弾性率の逆数の間の関係は指数関数に適合した。酸化膜と基板の弾性率と同様に酸化膜の厚さは,フィッティングパラメータを解析して推定した。法を検証するために,押込試験は,基板の弾性率を決定するためにSiC基板上に行った。微細構造の観察は,酸化膜の厚さを測定した。推定値は参照値とよく一致した。有限要素解析も酸化膜上の押込み試験をシミュレートした。シミュレーション結果は実験結果と良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  推定量 ,  *酸化膜 ,  弾性係数 ,  *キャラクタリゼーション ,  指数関数 ,  *炭化ケイ素 ,  微細構造
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  押込試験 ,  押込み深さ ,  *セラミック基板 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 押込み法 ,  酸化膜/基板系 ,  特性

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 押込 ,  SiC ,  セラミック基板 ,  酸化膜 ,  特性化