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J-GLOBAL ID：201702220016641827   整理番号：17A0279998

Fe変調ドープと無作為にドープされたGaNバッファを持つサファイア上に成長させたGaN/AlGaN/AlN/GaNH EMTの比較:材料成長と素子作製【Powered by NICT】

Comparison of GaN/AlGaN/AIN/GaN HEMTs Grown on Sapphire with Fe-Modulation-Doped and Unintentionally Doped GaN Buffer: Material Growth and Device Fabrication

著者 (7件)： Gong Jiamin (School of Electronic Engineering,Xi’an University of Posts and Telecommunications) ,  Wang Quan (School of Electronic Engineering,Xi’an University of Posts and Telecommunications) ,  Yan Junda (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Liu Fengqi (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Feng Chun (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Xiaoliang (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Zhanguo (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 11  ページ： 117303-1-117303-5  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fe変調ドープ(MD)と非意図的ドープ(UID)GaNバッファ層上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)を調べ,比較した。高抵抗GaNバッファ(109 cm)は電子トラップ’形成のための個々の機構により誘導される:Fe MD緩衝液(試料A)と高密度刃状転位(7.24×10~9cm( 2),試料B)のUIDバッファ。300K Hall試験はFeドーピング(2503cm~2V ( 1)/2( 1))をもつ試料Aの移動度は二次元電子ガスで減少した散乱効果であるため,試料B(1926cm~2V ( 1)/2( 1))よりもはるかに高いことを示した。HEMT素子は,二試料上に作製し,パルスI-V測定を行った。デバイスAは良好なゲートピンチオフ特性とデバイスB( 3.71 V)と比較して,より高いしきい値電圧( 2.63 V)を示した。デバイスA(3.32×10 ( 7)A)の下部ゲート漏れ電流I(GS)は装置B(8.29×10 ( 7)A)のそれと比較して存在した。オフ状態静止点Q_2(V(GQ2)= 8V,V(D Q2)=0V)に場合,V(th)はデバイスAのためのシフトはほとんどデバイスBは+0.21V正の閾値電圧シフトを示し,ゲート下のUID GaNバッファ層中の転位に関連した電子トラップの存在に起因する。パルスI-Vと相互コンダクタンスG_m V(GS)測定で,Fe MDをドープしたバッファをもつデバイスは,オフ状態ストレスによる信頼性を改善に可能性を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  二次元電子ガス ,  *サファイア ,  *変調ドーピング ,  バッファ層 ,  *ドーピング ,  HEMT ,  移動度 ,  *窒化ガリウム ,  *鉄
準シソーラス用語： 閾値電圧シフト ,  オフ状態 ,  ゲート漏れ電流 ,  閾値電圧 ,  AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： AlGaN/GaN ,  高 ,  電子

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： Fe ,  変調ドープ ,  ドープ ,  GaN ,  バッファ ,  サファイア ,  成長 ,  AlGaN ,  AlN ,  EMT ,  作製