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J-GLOBAL ID：201702220164915010   整理番号：17A0375019

再版:非極性面上に成長させたウルツ鉱型GaN/AlN量子ドットの光学的性質:内部電場の還元における積層欠陥の影響【Powered by NICT】

Reprint of: Optical properties of wurtzite GaN/AlN quantum dots grown on non-polar planes: The effect of stacking faults in the reduction of the internal electric field

著者 (6件)： Budagosky J.A. (Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain) ,  Garro N. (Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain) ,  Cros A. (Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain) ,  Garcia-Cristobal A. (Institut de Ciencia dels Materials (ICMUV), Universitat de Valencia, E-46071 Vαlencia, Spain) ,  Founta S. (CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France) ,  Daudin B. (CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” Group, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 90-94  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非極性GaN/AlN量子ドットの発光を調べた。これら量子ドット内の積層欠陥の存在は,温度と励起パワーと光ルミネセンスの依存性で証明された。現実的な形状を考慮に入れて,非極性量子ドットの電子構造と光学的性質の理論的モデルは,内部電場の実質的減少を予測する持続する量子閉込めStark効果を示し,極性GaN/AlN量子ドットのそれに匹敵する。モデリングは,閃亜鉛鉱型包有物ウルツ鉱マトリックスとして作用する,量子ドット内の3単分子層積層欠陥の影響は,内部電場の追加の30%低下をもたらし,観測された光学的特徴のより優れた説明を与える。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *量子ドット ,  モデリング ,  *積層欠陥 ,  Stark効果 ,  閃亜鉛鉱 ,  *窒化ガリウム ,  包有物 ,  光ルミネセンス ,  *窒化アルミニウム ,  *極性 ,  *非極性 ,  単分子層
準シソーラス用語： 理論モデル ,  *内部電場 ,  *ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 非極性量子ドット ,  光ルミネセンス ,  電子構造 ,  Stark効果 ,  積層欠陥

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (11件)： 再版 ,  非極性 ,  成長 ,  ウルツ鉱 ,  GaN ,  AlN ,  量子ドット ,  光学的性質 ,  内部電場 ,  還元 ,  積層欠陥