文献
J-GLOBAL ID:201702220192658166   整理番号:17A0740647

二層フォスフォレントランジスタに於けるショットキーバリア

Schottky Barriers in Bilayer Phosphorene Transistors
著者 (12件):
資料名:
巻:号: 14  ページ: 12694-12705  発行年: 2017年04月12日 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
本稿で広い仕事関数範囲に渡る一連の金属(Al,Ag,Cu,Au,Cr,Ti,NiとPd)を有する二層フォスフォレンの界面特性をFETトランジスタの構造で非経験的な電子バンド計算と非経験的な量子輸送シミュレーションの双方を用いて初めて体系的に研究した。一つのタイプのショットキー障壁しかない単層フォスフォレントランジスタと異なり,二層フォスフォレントランジスタでは二つのタイプのショットキー障壁が確認される:垂直ショットキー障壁はメタライズされそしてコンタクトしているフォスフォレン層と非コンタクトのフォスフォレン層の界面に形成される;横方向SBはメタライズされた二層フォスフォレンとチャネル二層フォスフォレンの間に形成される。垂直Schottky障壁高さ(SBHs)は,二層フォスフォレンーメタル界面システムのエネルギーバンド解析(EBA)から導き出すことが出来,そしてこれらは仕事関数近似から誘導した単層フォスフォレントランジスタの横方向Schottky障壁高さに較べて,量子輸送シミュレーションから誘導した単層フォスフォレントランジスタの横方向Schottky障壁高さとより良い一致することが分かる。従って,新しいそしてより良いエネルギーバンド方法が単層材料トランジスタのSchottky障壁高さを想定する為に開発される。量子輸送シミュレーションによれば二層フォスフォレンはn-タイプSchottky障壁コンタクトをCr,AlとCu電極と形成し,そしてPd,Ti,Ni,AgとAu電極とp-タイプSchottky障壁コンタクトを形成する。量子輸送シミュレーションで観察された極性とフォスフォレンFETsのSchottky障壁高さは存在する測定と一致する。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触  ,  トランジスタ 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る