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J-GLOBAL ID：201702220463393134   整理番号：17A0698571

エネルギー応用のための代替としての異なる処理成長による炭化けい素薄膜【Powered by NICT】

Silicon carbide thin films with different processing growth as an alternative for energetic application

著者 (19件)： Ouadfel A.M. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Ouadfel A.M. (Faculte de Physique, Universite Houari Boumediene (USTHB), Bab ezzouar, Alger, Algeria) ,  Keffous A. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Kheloufi A. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Cheriet A. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Yaddaden C. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Gabouze N. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Kechouane M. (Faculte de Physique, Universite Houari Boumediene (USTHB), Bab ezzouar, Alger, Algeria) ,  Belkacem Y. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Boukezzata A. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Kaci S. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Talbi L. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Ouadah Y. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Bozetine I. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Rezgui B. (Laboratoire Photovoltaique, Centre des Recherches et des Technologies de l’Energie (CRTEn) B. P N°95 - 2050 Hammam Lif, Tunisia) ,  Guerbous L. (Centre de Recherche Nucleare d’Alger (CRNA), Alger, Algeria) ,  Menari H. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Mahmoudi B. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria) ,  Menous I. (Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energetique (CRTSE), Division Couches Mines Surfaces et Interfaces, 02 Bd Frantz Fanon, BP. 140, Alger, Algeria)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 65  ページ： 117-123  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるSiC薄膜構造は蒸着技術に依存して得られた。結晶膜をパルスレーザ蒸着(PLD)を用いて成長させた,スパッタリング直流マグネトロン法は非晶質膜(a-SiC:HとSi_1xC_x:H)を持つことが可能に対照的であった。念入りに作られた膜の構造的および光学的特性の比較研究を行った。青色または多色LEDなどのエネルギー応用の可能性を検討した。異なる技術をSEM-EDS,SIMS,光ルミネセンスおよびスペクトル応答のような調製した膜を調べるために用いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,  パルスレーザ蒸着 ,  *薄膜 ,  スパッタリング ,  *炭化 ,  ケイ素 ,  蒸着 ,  直流 ,  光学的性質 ,  結晶 ,  マグネトロン ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： スペクトル応答 ,  非晶質膜 ,  *シリコン薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 炭化けい素 ,  薄膜 ,  プラズマ ,  結晶構造 ,  非晶質膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： エネルギー ,  応用 ,  代替 ,  成長 ,  炭化 ,  けい素薄膜