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J-GLOBAL ID：201702220655096182   整理番号：17A0650838

Si上の超薄エピタキシャルGaNヘテロ構造による圧電MEMS共振器

Piezoelectric MEMS resonators based on ultrathin epitaxial GaN heterostructures on Si

著者 (7件)： LECLAIRE P (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  LECLAIRE P (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  FRAYSSINET E (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  MORELLE C (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  CORDIER Y (CRHEA, CNRS, Valbonne, FRA) ,  THERON D (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA) ,  FAUCHER M (IEMN, CNRS, Villeneuve d’Ascq, FRA)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 26  号： 10  ページ： 105015,1-6  発行年： 2016年10月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上にMEMS共振器を作成するためには,バッファ層を必要とし,現在の標準的なバッファ層厚みは2~5μmである。小型の(NEMS)共振器を作成するにはバッファ層厚みを薄くする必要がある。本稿では,Si上の超薄エピタキシャルGaNヘテロ構造のAlGaN/GaN MEMS共振器の検討を行った。700nm厚みのAlGaN/GaNエピ層は高い引張応力を示し,共振周波数が増加した。集積した変換器の電気機械的結合効率を一般的な2μm厚みエピ層のものと比較した。700nm厚み構造では28nmV^-1アクチュエーション効率で,2μm厚みバッファのものと比べやや良かった。また,圧電抵抗として設計したゲートレス検出器の電気応答はゲージ率が60と推定された。これらの結果から,このようなIII-窒化物は材料問題がなく,NEMSアプリケーション用として利用可能であることが分かった。

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  共振器 ,  *MEMS ,  エピタクシー ,  素子構造 ,  ヘテロ接合 ,  引張応力 ,  共振周波数 ,  圧電素子 ,  比率 ,  ゲージ ,  *バッファ層
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  MEMS共振器 ,  NEMS ,  エピタキシャル ,  ゲージ率 ,  ヘテロ構造 ,  圧電抵抗素子

分類 (2件)： 共振器  (NC04050Y) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  エピタキシャル ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  圧電 ,  MEMS共振器