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J-GLOBAL ID：201702221030057664   整理番号：17A0470329

マグネトロン同時スパッタリングによるMoTe_2薄膜の作製と熱電特性【Powered by NICT】

Preparation and thermoelectric properties of MoTe₂ thin films by magnetron co-sputtering

著者 (10件)： Shi Daotian (Laboratory of Infrared Material and Devices, The Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Shi Daotian (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo 315211, China) ,  Wang Guoxiang (Laboratory of Infrared Material and Devices, The Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Wang Guoxiang (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo 315211, China) ,  Li Chao (Laboratory of Infrared Material and Devices, The Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Li Chao (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo 315211, China) ,  Shen Xiang (Laboratory of Infrared Material and Devices, The Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Shen Xiang (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo 315211, China) ,  Nie Qiuhua (Laboratory of Infrared Material and Devices, The Advanced Technology Research Institute, Ningbo University, Ningbo 315211, China) ,  Nie Qiuhua (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo 315211, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 138  ページ： 101-104  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoTe_2薄膜は独立したMoとTeターゲットからのマグネトロン共スパッタリングによって室温で堆積した。組成,構造と熱電特性を系統的に調べた。結果は電気伝導率は温度とともに増加し,半導体的挙動を示したと2H MoTe_2の結晶相が析出したことを明らかにした。温度が増加すると,Seebeck係数値は正から負に変化し,p-n型変換を実現した。p型及びn型MoTe_2膜の力率の最大値は670Kで~2 460Kと0.815mW/mKで0.328mW/mK~2であった。これらの優れた特性はMoTe_2膜は熱電応用のための効率的な候補であることを意味している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *スパッタリング ,  *テルル ,  *薄膜 ,  電気伝導率 ,  力率 ,  半導体 ,  *マグネトロン ,  熱電材料 ,  *モリブデン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  結晶相 ,  *熱電特性 ,  *同時スパッタリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 熱電特性 ,  薄膜 ,  熱電材料 ,  スパッタリング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロン ,  同時スパッタリング ,  薄膜 ,  作製 ,  熱電特性