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J-GLOBAL ID：201702221051444796   整理番号：17A0057908

MOCVDによりサファイア基板上に成長させたAlN膜の性質に及ぼすAlNバッファ層の効果【Powered by NICT】

Effect of AlN buffer on the properties of AlN films grown on sapphire substrate by MOCVD

著者 (7件)： Chen Xiang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhang Yun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Yan Jianchang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Guo Yanan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Zhang Shuo (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Wang Junxi (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China) ,  Li Jinmin (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, No.A35, Qinghua East Road, Haidian District, Beijing P R China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 123-126  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学気相蒸着を用いて高温(HT)AlNエピタキシャル膜の特性に及ぼす低温(LT)AlN緩衝層の成長時間と表面形態の影響に関する研究を示した。原子間力顕微鏡,二重結晶X線回折,Raman試験と光透過測定は,異なるLT AlNバッファ成長時間とともに四HT AlN試料を特性化した。結果はLT AlN緩衝層の成長時間と表面形態は,HT AlN膜の品質のための重要なパラメータであることを示した。6分の最適化された低温AlN緩衝層の成長時間により,1μm厚の高品質で亀裂のないAlN膜が得られた。AlN膜のX線回折(0002)および(1012)ロッキングカーブの半値全幅は42と530arcsecであった。A FM測定は0.149nmとステップフロー成長モードの二乗平均粗さを持つ原子的に平坦な表面を示した。透過率スペクトルは,波長203nmでの鋭い吸収バンドギャップを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線回折 ,  最適化 ,  *窒化アルミニウム ,  FWHM ,  光透過 ,  高温 ,  原子間力顕微鏡 ,  *バッファ層 ,  *MOCVD ,  透過率 ,  低温 ,  ロッキングカーブ
準シソーラス用語： 高品質 ,  表面形態 ,  *サファイア基板 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  サファイア基板 ,  成長 ,  AlN ,  性質 ,  バッファ層