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J-GLOBAL ID：201702222010003463   整理番号：17A0697216

深さ回路は注入関連欠陥を明らかにするための分析を編集【Powered by NICT】

In-depth circuits edit analysis to reveal the implantation-related defect

著者 (4件)： Chen C.Q. (Product, test and failure analysis, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands, Industrial Park D Street 2, Singapore 738406, Singapore) ,  Ang G.B. (Product, test and failure analysis, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands, Industrial Park D Street 2, Singapore 738406, Singapore) ,  Lam Jeffrey (Product, test and failure analysis, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands, Industrial Park D Street 2, Singapore 738406, Singapore) ,  Mai Z.H. (Product, test and failure analysis, GLOBALFOUNDRIES Singapore Pte. Ltd, 60 Woodlands, Industrial Park D Street 2, Singapore 738406, Singapore)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 62  ページ： 38-42  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥位置にアクセスし,電気的にそれを誘発するテストパターンを必要とするので,IC機能障害は故障解析技術者への挑戦である。動的破壊解析をこの種の解析を行うために使用する唯一の方法である。しかしの時間がかかり,複雑な動的解析を使用する,成功率は低く,サイクル時間は長かった。テストパターンと設計情報が必要であるため静的故障解析がこれらの種類の分析に適用することは不可能である。しかし,本論文では,高度集束イオンビーム(FIB)回路編集(CE)の適用を疑う機能ブロックを分離し,DCバイアスに近づきやすくするために採用した。静的FA解析により,欠陥位置を成功裏に局在していた。ナノプロービングは,電気分析に使用し,異常な電気的性能を観測することに成功した。デバイス物理解析と組み合わせて,疑わしいプロセスを同定した。さらにPFA Wrightエッチングはバイポーラ接合トランジスタ(BJT)素子のソフト破壊した欠陥を可視化するために適用した。故障機構を構築電気的および物理的現象をうまく説明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *編集 ,  エッチング ,  テストパターン ,  バイポーラトランジスタ ,  バイアス ,  動的解析 ,  可視化 ,  集束イオンビーム ,  故障解析 ,  電解分析
準シソーラス用語： 故障メカニズム ,  機能ブロック ,  設計情報 ,  サイクルタイム ,  動的破壊 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 編集回路 ,  バイポーラトランジスタ ,  注入 ,  ナノプロービング ,  Wrightエッチング

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 注入 ,  欠陥 ,  分析 ,  編集