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J-GLOBAL ID:201702222197604248   整理番号:17A0451234

単層グラフェン界面材料の熱的キャラクタリゼーションのためのその場2段階Raman温度測定【Powered by NICT】

In-situ two-step Raman thermometry for thermal characterization of monolayer graphene interface material
著者 (7件):
資料名:
巻: 113  ページ: 481-489  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0667B  ISSN: 1359-4311  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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今日まで,原子層界面材料の正確な熱特性測定は,標本の大きさと機器の制限の極端な寸法のために挑戦的である。Raman温度測定は非拘束グラフェン界面熱輸送の直接測定のための唯一の技術として出現した。本研究では,その場二段階Raman温度測定は支持されたグラフェンのグラフェンと基板の間の界面熱コンダクタンス,および面内熱伝導率の両方を測定するために開発した。二段階Raman法は第一段階を組み込んでいる:界面熱コンダクタンス特性化と第二段階のためのJoule加熱実験:熱伝導率測定のためのレーザ加熱実験。単層グラフェンとSiO_2の間の熱コンダクタンスは340 80mK2Kでサンドイッチされたグラフェン界面構造の報告された値よりもはるかに小さいとして特性化されているが,他の制約のないグラフェン界面構造と良く一致した。支持されたグラフェンの面内熱伝導率は179 86mKとして得られた。この値は支持されたグラフェン構造の熱輸送,界面におけるフォノン漏れと有意な散乱によって説明することができる以前に報告されたデータと一致した。グラフェン/SiO_2界面熱的性質の成功した測定は,この技術がRaman活性光学モードとグラフェン状原子層材料に適用できることを証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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熱交換器,冷却器 
タイトルに関連する用語 (5件):
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