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J-GLOBAL ID：201702223690582837   整理番号：17A0544831

集束イオンビームリソグラフィにおけるプラズマ支援原子層堆積による二酸化ケイ素マスク

Silicon dioxide mask by plasma enhanced atomic layer deposition in focused ion beam lithography

著者 (8件)： LIU Zhengjun (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  SHAH Ali (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  ALASAARELA Tapani (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  ALASAARELA Tapani (Nanobakers Oy, Helsinki, FIN) ,  CHEKUROV Nikolai (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  CHEKUROV Nikolai (Oxford Instruments Analytical Oy, Espoo, FIN) ,  SAVIN Hele (Aalto Univ., Aalto, FIN) ,  TITTONEN Ilkka (Aalto Univ., Aalto, FIN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 8  ページ： 085303,1-7  発行年： 2017年02月24日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,プラズマ支援原子層堆積(PEALD)二酸化ケイ素Si₂ハードマスクのための,集束イオンビーム(FIB)リソグラフィが開発された。PEALDプロセスは,Si0₂ハードマスクの堆積温度を大きく低下させた。本研究では,シリコンナノ構造作製のための低温PEALD Si0₂ハードマスクによるFIBナノリソグラフィーの能力を調べる。プラズマプロセスは,100°CでSi0₂堆積を可能にし,耐熱性が制限されたデバイスの処理を可能にした。ナノスケールの分解能でマスクレストップイメージングを行うための,非常に限られたオプションの1つとして,FIBはさまざまなプロセスに適応できる強力なツールである。PEALD Si0₂マスク上のGa⁺イオンビームによる浅い表面改質は,非照射領域と比較してイオン注入領域のエッチング速度の遅延をもたらした。したがって,FIB定義パターンは,ウェットエッチャントを容易にすることができた。

シソーラス用語： *集束イオンビーム ,  *リソグラフィー ,  *化学蒸着 ,  プラズマCVD ,  二酸化ケイ素 ,  *マスク ,  ケイ素 ,  ナノ構造 ,  ガリウム化合物 ,  金属イオン ,  ウェットエッチング
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  プラズマ支援化学蒸着法 ,  ガリウムイオン

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 集束イオンビーム ,  リソグラフィ ,  プラズマ ,  支援 ,  原子層堆積 ,  二酸化ケイ素 ,  マスク