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J-GLOBAL ID:201702224101034890   整理番号:17A0697418

パルスレーザー堆積法により成長させたエピタキシャルCuFeO_2とCuFe_1 xGa_xO_2デラフォサイト薄膜の構造及び光学特性の比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of the structural and optical properties of epitaxial CuFeO2 and CuFe1-xGaxO2 delafossite thin films grown by pulsed laser deposition methods
著者 (8件):
資料名:
巻: 626  ページ: 110-116  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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エピタキシャルデラフォサイトCuFeO_2とCuFe_1 xGa_xO_2膜の三試料を高真空中でパルスレーザ蒸着法を用いて成長させた。試料厚さは,ガリウムを含む複合試料のCuFeO_2膜で21nm,75nmと~37nmであると推定された。置換第二鉄原子の推定ガリウム画分は複合材料試料の0.25であった。透過率と拡散反射分光法を用いた近赤外可視領域でのそれぞれの光学吸収特性の観察により各試料の基本的なバンドギャップ(s)の研究を提示した。透過スペクトルから1.1eVと2.1eVで測定した主要な吸収端はCuFeO_2試料で観察された。CuFe_1 xGa_xO_2の試料はより低いバンドギャップの1.5eVとバンド遷移に直接バンドに起因する2.3eVに位置する強い吸収端に測定可能なシフトを示した。本研究はまた,各試料の透過率と拡散反射分光法の間の見かけの吸収端の間の変化の証拠を見出し,表面状態を介した吸収チャネルから得られたかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (3件):
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光物性一般  ,  酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電子構造 

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