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J-GLOBAL ID:201702224327861659   整理番号:17A0697153

HF/AgNO_3溶液中での化学エッチングによって形成したシリコンナノ細線における磁気コンダクタンス効果の研究:エッチング時間の影響【Powered by NICT】

Study of magnetoconductance effect in silicon nanowires formed by chemical etching in HF/AgNO3 solution: Effect of etching time
著者 (7件):
資料名:
巻: 463  ページ: 54-58  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0942A  ISSN: 0022-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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室温で種々のエッチング時間のためのシリコンナノワイヤ(SiNW)の磁気輸送特性を研究した。SiNWはAgNO_3~ベース化学溶液中における結晶性シリコンの金属支援化学エッチングにより形成した。走査電子顕微鏡(SEM)は,SiNWがエッチング時間に依存して異なる構造とそれらの長さを持つ可能性があることを示した。電気コンダクタンスと磁気コンダクタンス(MC)効果はエッチング時間に非常に依存することを見出した。室温でMC測定は正のMCを明らかにし,この効果は重要であり,0.5Tの磁場で最大9%に達した。後者の効果は準一次元(準一次元)弱局在(WL)理論の観点から議論できた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体薄膜 

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