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J-GLOBAL ID：201702225336202950   整理番号：17A0650745

400°Cでex situアニールしたトップCo₂Fe₆B₂自由層を有する二重MgO垂直磁気トンネル接合スピンバルブ用のPtシード層厚へのトンネル磁気抵抗比の依存性

Dependency of tunneling magnetoresistance ratio on Pt seed-layer thickness for double MgO perpendicular magnetic tunneling junction spin-valves with a top Co₂Fe₆B₂ free layer ex-situ annealed at 400 °C

著者 (5件)： TAKEMURA Yasutaka (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  TAKEMURA Yasutaka (SUMCO CORPORATION, Hokkaido, JPN) ,  LEE Du-Yeong (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Seung-Eun (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jea-Gun (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 27  号： 48  ページ： 485203,1-6  発行年： 2016年12月02日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400°Cでex situアニールしたトップCo₂Fe₆B₂自由層を有する二重MgOに基づく垂直磁気トンネル接合(p-MTJ)スピンバルブのトンネル磁気抵抗比(TMR)はプラチナ(Pt)シード層の厚みに強く依存し,特定のPt層厚(3.3nm)でピーク値(約134%)を示した。Pt層厚が2.0から3.3nmへ増加したときのCo₂Fe₆B₂ピン止め層の磁気モーメントの向上により,TMR比は最初113%から134%へ僅かに増加し,Pt層厚が3.3から14.3nmへ増加すると,MgOトンネリング障壁の面心立方結晶度の低下により,134%から38.6%へ急激に低下した。

シソーラス用語： ホウ化物 ,  *コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  酸化マグネシウム ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  *素子構造 ,  磁気抵抗 ,  白金 ,  磁束ピン止め ,  磁気モーメント ,  焼なまし ,  トルク ,  半導体プロセス
準シソーラス用語： *スピンバルブ ,  スピン移動トルク ,  トンネル磁気抵抗 ,  *磁気トンネル接合 ,  垂直磁気トンネル接合 ,  BEOL

分類 (2件)： 磁電デバイス  (NC03100X) ,  その他の接合  (BM03088W)

タイトルに関連する用語 (11件)： アニール ,  トップ ,  自由層 ,  MgO ,  垂直 ,  磁気トンネル接合 ,  スピンバルブ ,  Pt ,  層厚 ,  トンネル磁気抵抗 ,  依存性