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J-GLOBAL ID：201702225356859928   整理番号：17A0795072

低温における二重層ゲート誘電体を有する高性能Tiをドープした亜鉛酸化物TFT【Powered by NICT】

High-Performance Ti-Doped Zinc Oxide TFTs With Double-Layer Gate Dielectric Fabricated at Low Temperature

著者 (8件)： Cui Guodong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Han Dedong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Cong Yingying (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Dong Junchen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yu Wen (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Shengdong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Zhang Xing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Yi (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 207-209  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,二重層ゲート誘電体を有するチタン(Ti)をドープした亜鉛酸化物薄膜トランジスタ(TiZO TFTs)は,低温でガラス上に作製することに成功した。積層厚さ7nmのAl_2O_3/180nm厚SiO_2誘電体層を用いて,TFTの電気的性能,特に漏れ特性を改善することであった。SiO_2単一誘電体と比較して,二重層Al_2O_3/SiO_2誘電層を有する素子は,最適化された電気的性質を示した。得られた飽和移動度(μ_sat),しきい値電圧(v_th),サブ閾値スイング(SS),とI_on/I_off比は127cm~2V~ 1s~ 1,1.09V,131mV/decadeおよび3.7×10~8であった。二重層ゲート誘電体におけるAl_2O_3の厚さはTiZO TFTの性能にかなりの影響を持つことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  最適化 ,  *チタン ,  ガラス ,  *低温 ,  電気的性質 ,  *ドーピング ,  *誘電体 ,  *ゲート絶縁膜 ,  移動度 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： サブ閾値スイング ,  閾値電圧 ,  絶縁層 ,  *二重層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 低温 ,  二重層 ,  ゲート誘電体 ,  高性能 ,  Ti ,  ドープ ,  亜鉛酸化物 ,  TFT