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J-GLOBAL ID：201702225428591955   整理番号：17A0329137

3Dメモリ応用のための事前適用アンダーフィルを用いた高スループットの熱圧縮結合【Powered by NICT】

High throughput thermo-compression bonding with pre-applied underfill for 3D memory applications

著者 (7件)： Lim Adeline B. Y. (Kulicke & Soffa Pte. Ltd., 23A Serangoon North Avenue 5 #01-01, Singapore 554369, Singapore) ,  Rezvani Alireza (Kulicke & Soffa Industries Inc., 1005 Virginia Drive, Fort Washington, PA 19034, USA) ,  Datinguinoo Bacay Ryjean (Kulicke & Soffa Pte. Ltd., 23A Serangoon North Avenue 5 #01-01, Singapore 554369, Singapore) ,  Colosimo Tom (Kulicke & Soffa Industries Inc., 1005 Virginia Drive, Fort Washington, PA 19034, USA) ,  Yauw Oranna (Kulicke & Soffa Pte. Ltd., 23A Serangoon North Avenue 5 #01-01, Singapore 554369, Singapore) ,  Clauberg Horst (Kulicke & Soffa Industries Inc., 1005 Virginia Drive, Fort Washington, PA 19034, USA) ,  Chylak Bob (Kulicke & Soffa Industries Inc., 1005 Virginia Drive, Fort Washington, PA 19034, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 427-434  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： より小さく速い電子製品のための需要は急速に増加すると,高い電気性能と密度の3次元実装が望まれている[1]。銅ピラーを用いたフリップチップ相互接続技術は近年高性能システムだけでなく,消費者エレクトロニクスのための多くのマイクロエレクトロニクス応用に広く使用されている[2]。技術は金型と基板の間の短い電気経路による改善された電気的及び熱的性能を提供する。メモリ応用は減少パッケージ高さの駆動と積層ダイ数の増加により3次元実装用の重要な成長セグメントとして残っている。Tradditionally,フリップチップ相互接続が形成された後のキャピラリーアンダーフィルを適用した。アンダーフィル樹脂は毛管力による金型と基板の間のギャップに流入する[3]。しかし,収縮相互接続ギャップと樹脂系におけるアンダーフィル流と,不均一性の限界により,遅いプロセスであり,微細ピッチパッケージ[4]中の銅ピラー間の空隙をもたらす可能性があるとしてキャピラリーアンダーフィルは困難であることが分かった。これらの問題を解決するために,打ち放し非導電性膜(NCF)を用いた熱圧着ボンディング(TCB)プロセスを開発し,微細ピッチデバイス[5 7]で一般的に使用される。必要なハイ出場設備投資資本のために,ハイスループットTCBプロセスのための付加的なブレークスルーが広範な工業的採用を可能にするために必要である。現在,活性化し,流れ,はんだ溶融温度に達し,はんだリフローを完了する前にNCFを硬化させるためのTCBプロセスを用いた3次元メモリ積層は,いくつかの温度上昇段階を含む層毎に行った。さらに,NCFは高温に敏感であるため,次の金型を拾い上げる前に結合ヘッドを冷却するために各層の結合プロセスの最終段階において冷却段階である。K&S APAMA(R)フリップチップボンダ特許非接触移動特徴側鎖を持つ,集団結合は本報で報告した高スループットTC NCFプロセスを実証することである。集団結合は低温でメモリスタックのすべての層をタッキングにより行った。後,より高い温度上昇とTCBプロセスは最終層でのみ行った。従来のTC NCF接合のために,ピッカー結合頭部から金型の移動中のサブ100°Cの温度を使用せねばならず,これは低スループットを招く結果となる。非接触移動プロセスを用いて,結合ヘッドの冷却に必要である付加的な時間高U PHを可能にしないことが高い移動と整列温度を可能にする。添加では,高い移動と整列温度はダイ配置前にNCF材料中の揮発性物質と水分を除去することによりNCF排尿問題を減らすことが示された。相互接続,はんだ濡れとはんだ厚さ制御などの接着性に影響を及ぼす集団結合プロセス因子を研究した。ボイド,隅肉制御,膜ガス放出のようなNCFアンダーフィル性能も調べた。最後に,経験的U PHモデルは,潜在的なスループット向上を例証するために提示されるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子技術 ,  低温 ,  融点 ,  フリップチップ法 ,  水分 ,  マイクロエレクトロニクス ,  *スループット ,  リフロソルダリング ,  不均一性 ,  相互接続 ,  熱特性 ,  *三次元 ,  はんだ ,  銅
準シソーラス用語： *アンダーフィル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 3D ,  応用 ,  アンダーフィル ,  高スループット ,  熱圧縮