文献

J-GLOBAL ID：201702225482530909   整理番号：17A0318969

フォトダイオードと太陽電池のためのCdSe量子dots/Si複合構造とその性能の低漏れ電流【Powered by NICT】

Low leakage current of CdSe quantum dots/Si composite structure and its performance for photodiode and solar cell

著者 (6件)： Soylu M. (Department of Physics, Faculty of Sciences and Arts, Bingol University, Bingol, Turkey) ,  Al-Ghamdi Ahmed. A. (Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  El-Tantawy F. (Department of Physics, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt) ,  Farooq W.A. (Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia) ,  Yakuphanoglu F. (Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Yakuphanoglu F. (Department of Physics, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 42  号： 13  ページ： 14949-14955  発行年： 2016年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdSe量子ドットはスピンコーティング法によりp型Si(100)基板上に堆積した。CdSe量子ドットは,ヘテロ接合の逆バイアス漏れ電流を低減するための中間層として選択した。種々の接合パラメータを,電流-電圧(I V)と容量-電圧(C V)特性から決定した。Au/CdSe量子dots/p Si構造はかなり低い漏れ電流密度4.54×10~ 9cm~2および印加電場±4Vの高い整流比3.1×10~6を示した。さらに,照明下でのI-V特性は強い光起電力(PV)挙動を示した。これらの結果は,界面でのCdSe量子ドットに起因した低い界面状態密度と欠陥密度に起因した。Au/CdSe量子dots/p Si構造はフォトダイオードと太陽電池応用に対して有望な候補であることを評価した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  光起電力 ,  *セレン化カドミウム ,  界面 ,  スピンコーティング ,  *複合構造 ,  電場 ,  *フォトダイオード ,  電流電圧特性 ,  *漏れ電流 ,  欠陥密度 ,  界面状態密度 ,  中間層 ,  CdSe量子ドット

著者キーワード (3件)： CdSe ,  漏れ電流密度は照明 ,  電気的性質

分類 (1件)： 電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (8件)： フォトダイオード ,  太陽電池 ,  CdSe ,  量子 ,  DOTS ,  Si ,  複合構造 ,  漏れ電流