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J-GLOBAL ID：201702225845117697   整理番号：17A0328771

無不純物空格子点無秩序化量子井戸相互混合によるInGaAs/GaAs/AlGaAs多重波長量子井戸レーザダイオードのモノリシック作製【Powered by NICT】

Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-Free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing

著者 (8件)： Qiao Zhongliang (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Tang Xiaohong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Li Xiang (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Bo Baoxue (National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Gao Xin (National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Qu Yi (National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China) ,  Liu Chongyang (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore) ,  Wang Hong (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名： IEEE Journal of the Electron Devices Society  (IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5  号： 2  ページ： 122-127  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2429A  ISSN： 2168-6734  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs/GaAs/AlGaAs多重波長量子井戸(QW)半導体レーザダイオード(LD)は不純物フリー空格子点不規則化(IFVD)量子井戸相互混合(QWI)法により作製した。IFVD QWIプロセスは完全なInGaAs/GaAs/AlGaAs量子井戸レーザ構造の上にSiO_2マスク層をスパッタリング堆積を行い,980nm波長で発光すると,880°Cで急速熱アニーリングにより60sであった。混合ウエハから作製したデバイスのレーザ発振波長は,マスク層の厚さの増加と共に青方偏移した。処理した劈開したレーザの最大発光波長青方偏移は1000mW以上出力をもつ112nmに達した。IFVD QWI技術を用いて,多波長集積LDも単一チップから作製することに成功した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 発光 ,  レーザ発振 ,  *不純物 ,  *量子井戸レーザ ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  青方偏移 ,  *波長 ,  *量子井戸 ,  スパッタ蒸着 ,  *ヒ化ガリウム ,  *レーザ ,  RTA【熱処理】 ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム
準シソーラス用語： 波長集積 ,  *相互混合 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 音声処理  (JE05000E) ,  パターン認識  (JE07000S)

タイトルに関連する用語 (13件)： 不純物 ,  空格子点 ,  無秩序化 ,  量子井戸 ,  相互混合 ,  InGaAs ,  GaAs ,  AlGaAs ,  多重 ,  波長 ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  作製