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J-GLOBAL ID：201702228807941758   整理番号：17A0883588

溶液から作製した変調ドープIn_2O_3/ZnOヘテロ接合トランジスタ【Powered by NICT】

Modulation-Doped In₂O₃/ZnO Heterojunction Transistors Processed from Solution

著者 (11件)： Khim Dongyoon (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Lin Yen-Hung (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Nam Sungho (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Faber Hendrik (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Tetzner Kornelius (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Li Ruipeng (Cornell High Energy Synchrotron Source, Wilson Laboratory Cornell University, Ithaca, NY, 14853, USA) ,  Zhang Qiang (Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Li Jun (Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Zhang Xixiang (Division of Physical Sciences and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia) ,  Anthopoulos Thomas D. (Department of Physics and Centre for Plastic Electronics, Imperial College London, South Kensington, London, SW7 2AZ, UK) ,  Anthopoulos Thomas D. (Division of Physical Science and Engineering, King Abdullah University of Science & Technology (KAUST), Thuwal, 23955-6900, Kingdom of Saudi Arabia)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 19  ページ： ROMBUNNO.201605837  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,200°Cでスピンコーティングを介して原子的に鋭いIn_2O_3/ZnOとIn_2O_3/LiドープZnO(In_2O_3/Li-ZnO)ヘテロ接合の制御された成長を報告し,nチャネル薄膜トランジスタ(TFT)におけるそれらの応用を評価した。ZnO中のLiの添加はn型ドーピングをもたらし,そのFermiエネルギーの正確な調整を可能にすることを示した。In_2O_3/ZnOヘテロ接合の場合には,n型ドープZnO層の存在は,界面上のIn_2O_3の最小の伝導バンドから移動した電子の増加量をもたらす,変調ドーピングと類似していた。電気的キャラクタリゼーションは,アイソタイプIn_2O_3/Li-ZnOヘテロ接合の電荷輸送特性と同様に得られたTFTの動作特性に及ぼすn型ドープZnO層の存在の大きな影響を明らかにした。In_2O_3/Li-ZnO界面微細構造,およびLi濃度の慎重な最適化により,電子移動度とTFTバイアス安定性の双方のかなりの増加を実証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Fermi準位 ,  薄膜トランジスタ ,  界面 ,  スピンコーティング ,  リチウム ,  *酸化亜鉛 ,  バイアス ,  伝導バンド ,  微細構造 ,  *ヘテロ接合 ,  キャラクタリゼーション ,  チャネル ,  最適化
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 電子移動度 ,  ヘテロ接合トランジスタ ,  金属酸化物 ,  変調ドーピング ,  semiconductors ,  溶液処理 ,  薄膜トランジスタ

分類 (2件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  固-固界面  (CB12060M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 溶液 ,  作製 ,  変調ドープ ,  ZnO ,  ヘテロ接合 ,  トランジスタ