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J-GLOBAL ID：201702229974337630   整理番号：17A0363880

高分子基板上のグラフェン酸化物膜のレーザ直接3Dパターン形成と還元【Powered by NICT】

Laser direct 3D patterning and reduction of graphene oxide film on polymer substrate

著者 (6件)： Bobrinetskiy I.I. (Laser Applications Centre, AIMEN, Relva 27A, 36410 Porrino, Spain) ,  Emelianov A.V. (National Research University of Electronic Technology, bld.1, Shokin sq., Zelenograd, Moscow 124498, Russia) ,  Smagulova S.A. (M.K. Ammosov North-Eastern Federal University, 58, Belinskii Street, Yakutsk 677000, Russia) ,  Komarov I.A. (National Research University of Electronic Technology, bld.1, Shokin sq., Zelenograd, Moscow 124498, Russia) ,  Otero N. (Laser Applications Centre, AIMEN, Relva 27A, 36410 Porrino, Spain) ,  Romero P.M. (Laser Applications Centre, AIMEN, Relva 27A, 36410 Porrino, Spain)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 187  ページ： 20-23  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン酸化物(GO)膜エンボス加工と還元はフェムト秒レーザパルス下で実証した。200Ω/□のレーザ還元GO膜の最良の伝導度は,フェムト秒レーザーパルスエネルギー当たりμm,35 45nJと10 25パルスの達成された。完全性と伝導率であることをエンボス加工したGO膜の上にパターン化したレーザ還元を実証した。レーザ還元GOの性質をRaman,SEM及びシート抵抗測定により研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パターン形成 ,  パルス ,  *酸化膜 ,  エンボス加工 ,  完全性 ,  *レーザ ,  シート抵抗 ,  *三次元 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 伝導率 ,  フェムト秒レーザパルス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： レーザ処理 ,  酸化グラフェン ,  薄膜 ,  3Dエンボス加工 ,  Raman ,  電気的性質

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子基板 ,  グラフェン ,  酸化物膜 ,  レーザ ,  3D ,  パターン形成 ,  還元