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J-GLOBAL ID：201702230108517367   整理番号：17A0214165

垂直suspendedチャネルを持つラップゲート型CNT-FETの初めての実証【Powered by NICT】

First demonstration of a wrap-gated CNT-FET with vertically-suspended channels

著者 (15件)： Lee Dongil (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Lee Byung-Hyun (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Yoon Jinsu (Kookmin University, Seoul, 02707, Korea) ,  Choi Bongsik (Kookmin University, Seoul, 02707, Korea) ,  Park Jun-Young (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Ahn Dae-Chul (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Kim Choong-Ki (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Hwang Byeong-Woon (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Jeon Seung-Bae (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Ahn Hyun Jun (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Seol Myeong-Lok (NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA 94035, USA) ,  Kang Min-Ho (National Nanofab Center, Daejeon 34141, Korea) ,  Cho Byung Jin (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea) ,  Choi Sung-Jin (Kookmin University, Seoul, 02707, Korea) ,  Choi Yang-Kyu (School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 5.2.1-5.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 99.9%まで精製し,鉛直につり下げられた(VS)半導性単層CNTを用いた完全ラップゲート型カーボンナノチューブ(CNT)トランジスタを初めて実証した。スケーラビリティの犠牲なしに,多重チャネルを持つゲートオールアラウンド(GAA)構造の幾何学的利点のため,達成された顕著に増強されたゲート制御性と電荷輸送能力。VSチャネルシリコン加工垂直集積ナノワイヤフレームの助けを借りて形成され,シリコンプロセスに於いて高い完全性と適合性を提供した。このアプローチは高速新たな材料へのCNTsの適用性を増加させるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 適応性 ,  高速度 ,  半導性 ,  完全性 ,  *チャネル
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  ゲート制御 ,  ゲートオールアラウンド ,  マルチチャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 垂直 ,  チャネル ,  ラップゲート ,  CNT ,  FET ,  実証