Lee Dongil について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Lee Byung-Hyun について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Yoon Jinsu について
Kookmin University, Seoul, 02707, Korea について
Choi Bongsik について
Kookmin University, Seoul, 02707, Korea について
Park Jun-Young について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Ahn Dae-Chul について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Kim Choong-Ki について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Hwang Byeong-Woon について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Jeon Seung-Bae について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Ahn Hyun Jun について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Seol Myeong-Lok について
NASA Ames Research Center, Moffett Field, CA 94035, USA について
Kang Min-Ho について
National Nanofab Center, Daejeon 34141, Korea について
Cho Byung Jin について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
Choi Sung-Jin について
Kookmin University, Seoul, 02707, Korea について
Choi Yang-Kyu について
School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon 34141, Korea について
IEEE Conference Proceedings について
適応性 について
高速度 について
半導性 について
完全性 について
チャネル について
電荷輸送 について
ゲート制御 について
ゲートオールアラウンド について
マルチチャネル について
トランジスタ について
固体デバイス製造技術一般 について
垂直 について
チャネル について
ラップゲート について
CNT について
FET について
実証 について