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J-GLOBAL ID：201702230466904833   整理番号：17A0741404

ワイドトレンチエッチングを用いた4H-SiC接合障壁Schottkyダイオードの電流密度の改善

Improving Current Density of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diode with Wide Trench Etching

著者 (5件)： KYOUNG Sinsu (Korea Univ., KOR) ,  KYOUNG Sinsu (Powercubesemi, Inc. Res. and Dev., KOR) ,  JUNG Eun Sik (Korea Univ., KOR) ,  KANG Tai Young (Powercubesemi, Inc. Res. and Dev., KOR) ,  SUNG Man Young (Korea Univ., KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 16  号： 11  ページ： 11686-11691  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCを用いたSchottky障壁接合(JBS)ダイオードは優れたパワーデバイス素子であるが,一般に,漏れ電流が大きい欠点がある。そこで漏れ電流を低減するために,トレンチエッチングを用いた4H-SiCトレンチ構造Schottky障壁接合(TJBS)ダイオードが提案されている。しかしながら,このTJBSでは順方向の漏れ電流は低減されない。本論文では,この問題を克服するために,浅く幅広いトレンチ作成するエッチング法を用いたTJBS(WTJBS)ダイオードを提案した。ワイドトレンチエッチングにより,Schottky障壁部分の深さが増し接触面積も増大した。通常のトレンチエッチングTJBSやJBSと比較して,WTJBSは増強された電流密度と低い漏れ電流を示すことがわかった。

シソーラス用語： *エッチング ,  坑道 ,  溝 ,  *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電流密度 ,  接合ダイオード ,  漏れ電流 ,  接合形FET
準シソーラス用語： トレンチ ,  *4H-SiC

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： トレンチエッチング ,  4H-SiC ,  障壁 ,  Schottkyダイオード ,  電流密度