文献

J-GLOBAL ID：201702231223182830   整理番号：17A0026002

シリコンアクティブ基板(III-V-OIAS)と集積したIII-V-絶縁体上の超薄ボディInGaAs MOSFET

Ultrathin Body InGaAs MOSFETs on III-V-On-Insulator Integrated With Silicon Active Substrate (III-V-OIAS)

著者 (5件)： Lin Jianqiang (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  Czornomaz Lukas (IBM Zurich Research Laboratory, Rueschlikon, Switzerland) ,  Daix Nicolas (IBM Zurich Research Laboratory, Rueschlikon, Switzerland) ,  Antoniadis Dimitri A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 8  ページ： 3088-3095  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄ボディセルフアラインInGaAs MOSFETを,シリコンアクティブ基板(III-V-OIAS)上のIII-Vオンインシュレータ上に制作した。p型Siアクティブ基板はデバイスの閾値電圧と他の電気的特性を変調できるバックゲートとして働く。本稿は,2Dシミュレーションと実験との比較を通してこの効果の背後にある物理を調べる。オフ状態では,ボディからソースへの正電圧(V_bs)をかけるとサブ閾値スイングを増やすがドレイン誘起障壁低下を低下させることが分かった。最初の効果はチャネル中の電子プロファイルと電子電荷の重心位置に関連するが,二番目のものはシリコン基板中の空乏領域の変調と密接に関連している。オン状態では,デバイスの外因性部分における電子蓄積の増加によって正V_bsの下で直列抵抗の改善が観察される。さらに,チャネル移動度はチャネルの平均縦電界に依存して2枝挙動を示す。このことはチャネル表面の前面と後面で生じる異なる界面散乱で説明される。本稿は,アクティブ基板のIII-V-オンー絶縁体におけるQW-MOSFETの動作でボディバイアス利用を試みるときに伴うトレードオフを強調している。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 電流測定 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  インジウム化合物 ,  論理回路 ,  論理素子 ,  *MOSFET ,  ケイ素 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム ,  半導体素子 ,  製造 ,  電圧 ,  電気抵抗 ,  短チャネル効果 ,  性能指数 ,  移動度
準シソーラス用語： DIBL ,  GaAs ,  InGaAs ,  サブ閾値スイング ,  シリコン ,  ロジックゲート ,  直列抵抗 ,  半導体素子製造 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  集積 ,  絶縁体 ,  ボディ ,  InGaAs ,  MOSFET