文献

J-GLOBAL ID：201702231608488871   整理番号：17A0053358

ホットキャリア効果に基づくモノリシックオプトエレクトロニクス集積Si CMOS LEDの設計と作製

Design and Fabrication of a Monolithic Optoelectronic Integrated Si CMOS LED Based on Hot-Carrier Effect

著者 (7件)： Kaikai Xu (State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Siyang Liu (Nat. ASIC Syst. Eng. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing, China) ,  Weifeng Sun (Nat. ASIC Syst. Eng. Res. Center, Southeast Univ., Nanjing, China) ,  Zhengfei Ma (State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Zebin Li (State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Qi Yu (State Key Lab. of Electron. Thin Films & Integrated Devices, Univ. of Electron. Sci. & Technol. of China, Chengdu, China) ,  Guannpyng Li (California Inst. for Telecommun. & Inf. Technol., Irvine, CA, USA)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 22  号： 6  ページ： ROMBUNNO.2000508.1-8  発行年： 2016年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSプロセス技術を用いて作製されたシリコンMOS型デバイスで実現された2端子および3端子Si-LEDに関する新しい研究成果を報告する。逆バイアスされたpn接合では,光強度が空乏領域付近の電界とともに増加するため,電界放出素子の詳細な特性を調べ,ダイオードではpn接合の逆バイアスによって電界が変化し,ゲート制御ダイオードではゲート端子の電圧によって変化することを示した。この電界を実験的に測定することが不可能であるため,2次元デバイスシミュレータを実行し,デバイス内の電界分布をモデル化した。シミュレーションの結果,MOS型デバイスの場合,3端子ゲート制御ダイオードの電界は,2端子ダイオードの電界よりも1桁大きくなることが分かった。結論として,3端子デバイスは,2端子デバイスよりもはるかに良好な光放出を有し,発光増強は3端子ゲート制御ダイオードにおいてのみ達成され得るトンネル支援光子放出に起因する。良好な一致がシミュレーションと実験の間で得られた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ケイ素 ,  CMOS構造 ,  *発光ダイオード ,  PN接合 ,  *ホットキャリア ,  電界強度 ,  *計算機シミュレーション ,  トンネル効果 ,  制御 ,  バイアス ,  *エレクトロルミネセンス ,  発光スペクトル ,  放射強度 ,  量子効率 ,  MOSFET ,  *半導体集積回路
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,  デバイスシミュレーション ,  ゲート制御

著者キーワード (3件)： electroluminescence ,  Electric field ,  Si-LED

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： ホットキャリア ,  オプトエレクトロニクス ,  集積 ,  Si ,  CMOS ,  LED ,  設計 ,  作製