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J-GLOBAL ID：201702231719283211   整理番号：17A0547663

析出領域制御(ギャップ法)による低分子PBD単結晶の形状制御

著者 (6件)： 寺田諒 (上智大 理工) ,  上田裕之 (上智大 理工) ,  竹内啓太 (上智大 理工) ,  石井空良 (上智大 理工) ,  菊池昭彦 (上智大 理工) ,  菊池昭彦 (上智ナノテクリサーチセ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-313-3  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 単結晶 ,  *形状制御 ,  *有機半導体 ,  *結晶成長 ,  薄膜成長 ,  *サーボ制御
準シソーラス用語： 薄膜結晶成長

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

物質索引 (1件)： PBD

タイトルに関連する用語 (6件)： 析出 ,  ギャップ ,  低分子 ,  PBD ,  単結晶 ,  形状制御