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J-GLOBAL ID:201702231733293442   整理番号:17A0403174

低温アニーリングでのRFスパッタリング法による透明導電性HfドープIn_2O_3薄膜【Powered by NICT】

Transparent conductive Hf-doped In2O3 thin films by RF sputtering technique at low temperature annealing
著者 (5件):
資料名:
巻: 399  ページ: 716-720  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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HfドープIn_2O_3透明導電性多結晶膜(IHFO)は,シリコンベース太陽電池の応用のための高周波マグネトロンスパッタリングによる低基板温度で成長させた。膜の電気的および光学的性質に対するアルゴン流量の影響を調べた。低温熱処理はIHFO膜特性を改善し,79.6cm~/Vsの最適H all移動度と3.76×10~ 4Ωcmの抵抗率を持つ。1500nmの範囲で807nm厚IHFO膜の平均透過率は83%以上であった。キャリア密度を利用して,1.8μmであった,IHFO導電膜のプラズマ波長を評価することであった。最適IHFO膜は,接触層として非晶質シリコンゲルマニウム薄膜太陽電池に適用した。このような層のない電池と比較して,効率が0.35%高かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  燃料電池 

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