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J-GLOBAL ID：201702231924402926   整理番号：17A0755731

スルーシリコンビア(TSV)欠陥モデリング,測定,及び解析【Powered by NICT】

Through Silicon Via (TSV) Defect Modeling, Measurement, and Analysis

著者 (12件)： Jung Daniel H. (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Kim Youngwoo (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Kim Jonghoon J. (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Kim Heegon (Department of Electrical and Computer Engineering, Missouri University of Science and Technology, Rolla, MO, USA) ,  Choi Sumin (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea) ,  Song Yoon-Ho (Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon, South Korea) ,  Bae Hyun-Cheol (Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon, South Korea) ,  Choi Kwang-Seong (Electronics and Telecommunications Research Institute, Daejeon, South Korea) ,  Piersanti Stefano (Department of Industrial and Information Engineering and Economics, UAq EMC Laboratory, University of L’Aquila, L’Aquila, Italy) ,  de Paulis Francesco (Department of Industrial and Information Engineering and Economics, UAq EMC Laboratory, University of L’Aquila, L’Aquila, Italy) ,  Orlandi Antonio (Department of Industrial and Information Engineering and Economics, UAq EMC Laboratory, University of L’Aquila, L’Aquila, Italy) ,  Kim Joungho (Department of Electrical Engineering, Korea Advanced Institute of Science and Technology, Daejeon, South Korea)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 7  号： 1  ページ： 138-152  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンバイアホール(TSV)をベースにした三次元による集積回路は,高いシステム帯域幅,低電力消費,小形状因子電子デバイスに限りなく増大する需要への解決策を導入した。システム設計がより高い性能を目指すとして,チャネルの物理的寸法は連続的に減少している。TSV直径10μm以下と十μmのピッチを用いて,I/O数は広帯域データ伝送のための十から千のオーダーまで増加している。しかし,高精度作製プロセスなしで,そのような小さな構造はさまざまな欠陥の影響を受けやすい。初めて,この論文では,高速TSVチャネルのための非侵襲的欠陥解析法を提案した。設計と作製された試験車両を用いて,提案した方法は,Sパラメータと時間分域反射率測定結果を用いて実証した。添加では,TSVデイジーチェーン構造の等価回路モデル,オープン欠陥と短い欠陥のための回路部品を提供する。各周波数範囲で特徴付けられる主要な因子により,S_11は解析信号が経験する静電容量,抵抗,及びインダクタンスの量によって欠陥の識別と位置決めを行った。S-パラメータ測定は試験試料を破壊することなくTSVチャネルの高周波欠陥解析を可能にした。回路シミュレーションと測定からのS-パラメータの結果を比較することによって提案したモデルの精度を実験的に検証した。最後に,モデルは,TSVチャネルの電気的特性に及ぼす開放欠陥と短い欠陥の影響を検討するために修正した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 広帯域 ,  集積回路 ,  モデル ,  回路部品 ,  *モデリング ,  インダクタンス ,  電気的性質 ,  システム設計 ,  チャネル ,  三次元 ,  回路シミュレーション ,  静電容量
準シソーラス用語： 等価回路モデル ,  Sパラメータ ,  欠陥解析 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 接続部品  (NA05050Z) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (5件)： スルーシリコンビア ,  TSV ,  欠陥 ,  モデリング ,  解析