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J-GLOBAL ID：201702233747644740   整理番号：17A0085798

インジウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタの電気的特性に及ぼす窒素ドーピングの影響

Influences of Nitrogen Doping on the Electrical Characteristics of Indium-Zinc-Oxide Thin Film Transistors

著者 (6件)： Han Yanbing (Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, China) ,  Yan Hai (Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, China) ,  Tsai Yun-Chu (Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Li Yan (Department of Electronic Engineering, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Shanghai Jiao Tong University, Shanghai, China) ,  Zhang Qun (Department of Materials Science, National Engineering Laboratory for TFT-LCD Materials and Technologies, Fudan University, Shanghai, China) ,  Shieh Han-Ping D. (Department of Photonics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 16  号： 4  ページ： 642-646  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネル層として窒素をドープしたアモルファスインジウム-亜鉛酸化物(a-IZO:N)を有する薄膜トランジスタ(TFT)をアルゴン,酸素及び窒素混合ガスを用いたrfマグネトロンスパッタリングにより室温で調製した。XRD測定はa-IZO:N薄膜の非晶質構造を確認し,AFMはその均一性を確認する。透過率曲線は,a-IZO膜中の窒素ドーピングが光学バンドギャップを狭め,XPSによって証明された酸素空孔を抑制できることを示している。窒素流量が4SCCMの場合,a-IZO TFTは飽和移動度が24.67cm²V^-1s^-1,サブ閾値揺らぎ0.41V/decade,オン/オフ比1.7×10⁹,およびしきい値電圧-14.46V。窒素流量が0から6.5SCCMに上昇すると,閾値電圧は-22.76~-9.59Vにシフトする。a-IZO:N TFTの正のゲートバイアス安定性および負のバイアス照明安定性も,それぞれ4および2.5SCCMの窒素流量で改善される。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *窒素 ,  *ドーピング ,  *添加物効果 ,  *非晶質半導体 ,  *半導体薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *室温 ,  混合気体 ,  アルゴン ,  酸素 ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  透過率 ,  光学ギャップ ,  X線光電子分光法 ,  空格子点 ,  *インジウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化物 ,  多成分系 ,  スペクトル
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  酸素空孔 ,  透過スペクトル

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  電気的特性 ,  窒素ドーピング