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J-GLOBAL ID：201702234054721860   整理番号：17A0468187

Ni_0.75Mn_2.25O₄/LaMnO₃二層構造による単相膜サーミスタの電気特性改善

Improvement of electrical properties of single-phase film thermistors by a Ni_0.75Mn_2.25O₄/LaMnO₃ bilayer structure

著者 (5件)： KONG Wenwen (Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN) ,  SHI Qin (Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN) ,  SHI Qin (Shihezi Univ., Shihezi, CHN) ,  GAO Bo (Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN) ,  CHANG Aimin (Xinjiang Technical Inst. of Physics and Chemistry, CAS, Urumqi, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 4  ページ： 3837-3842  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二層構造膜による単相膜サーミスタの電気特性改善を試みた。LaMnO₃,Ni_0.75Mn_2.25O₄/LaMnO₃,Ni_0.75Mn_2.25O₄膜サーミスタをパルスレーザ蒸着(PLD)で作った。比抵抗と温度の関係は,すべての膜が負温度係数を示した。XRDの結果から,Ni_0.75Mn_2.25O₄とLaMnO₃の間では化学反応は起きていない。二層膜のB定数は2371Kであり,Ni_0.75Mn_2.25O₄単相膜の値(2450K)と類似しているが,比抵抗はLaMnO₃(580Ωcm)やNi_0.75Mn_2.25O₄(94.2Ωcm)よりも二層膜の比抵抗(19.6Ωcm)は小さくなっている。この特徴は粒界抵抗の減少とMn³⁺/Mn⁴⁺比の増加が原因である。

シソーラス用語： *サーミスタ ,  *電気特性 ,  ニッケル化合物 ,  マンガン化合物 ,  酸化物 ,  ランタン化合物 ,  多層膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  電気抵抗率 ,  温度係数 ,  X線回折 ,  X線光電子分光法
準シソーラス用語： XPS ,  XRD ,  *二層構造 ,  比抵抗 ,  負温度係数

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 層構造 ,  単相 ,  サーミスタ ,  電気特性