文献

J-GLOBAL ID：201702234219169815   整理番号：17A0214183

NSP:積層平面および垂直ゲートオールアラウンドMOSFETの物理的コンパクトモデル【Powered by NICT】

NSP: Physical compact model for stacked-planar and vertical Gate-All-Around MOSFETs

著者 (13件)： Rozeau O. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Martinie S. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Poiroux T. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Triozon F. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Barraud S. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Lacord J. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Niquet Y. M. (CEA-INAC, Grenoble, France) ,  Tabone C. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Coquand R. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Augendre E. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Vinet M. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Faynot O. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France) ,  Barbe J.-Ch. (CEA-Leti, Minatec Campus, 38054 Grenoble, France)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 7.5.1-7.5.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ワイヤ/NanoSheet(NW/NS)ゲートオールアラウンド(GAA)MOSFETの予測と物理的コンパクトモデルを提案した。量子閉じ込めを含む表面電位を計算するための新しい方法論に基づいて,このモデルは積層した平面および垂直GAA MOSFET(円形,正方形,長方形)の任意NW/NS断面形状を取り扱うことができる。,数値シミュレーションと実験データの両方により検証し,このナノワイヤ表面電位(NSP)に基づくモデルは,GAA MOSFETのすべての動作領域で非常に正確であることを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属線 ,  *MOSFET ,  量子閉込め ,  ナノワイヤ ,  表面電位
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  断面形状 ,  *コンパクトモデル ,  *ゲートオールアラウンド ,  *積層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直 ,  ゲートオールアラウンド ,  MOSFET ,  物理 ,  コンパクトモデル