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J-GLOBAL ID：201702234719430335   整理番号：17A0386062

磁場増強型高電力パルスマグネトロンスパッタ法による(AlTi)_xN_1-x薄膜の微細構造と機械的性質

Microstructure and mechanical properties of (AlTi)_xN_1-x films by magnetic-field-enhanced high power impulse magnetron sputtering

著者 (6件)： Tian Xiubo (State Key Lab of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Ma Yinghe (State Key Lab of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Hu Jian (State Key Lab of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Bi Mingkang (State Key Lab of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Gong Chunzhi (State Key Lab of Advanced Welding and Joining, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China) ,  Chu Paul K. (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Tat Chee Avenue, Kowloon, Hong Kong, China)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 2  ページ： 021402-021402-6  発行年： 2017年03月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の直流マグネトロンスパッタ法に比べ,高電力パルスマグネトロンスパッタ法(HiPIMS)はプラズマ活性を高め,優先的微細構造と高い限界負荷とをもつ薄膜の堆積を可能にするが,実際には,多くの電子は有効に利用されず,陽極(容器壁)で失われる。基板へのより高いイオンフラックスと薄膜のより高密度の微細構造とを実現するために,外部磁場を導入する。本稿のHiPIMS装置では,マグネトロンターゲット周囲のコイルがより大きな増強効果を生じ,グロー放電を強めて閉じ込めるのに適当な電流をコイルに通電することで,基板電流を2倍もしくはそれ以上に高めることができる。磁場増強型HiPIMS技術を利用して滑らかな表面とより良好な機械的性質(表面硬さなど)を有する(AlTi)_xN_1-x薄膜を作製した。コイル電流を高めるとより低い摩擦をもつ薄膜が得られる。この改善は,グロー放電の増大,より多くの窒素の取り込み,高密度のイオン衝撃によるものである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *窒化物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *チタン化合物 ,  蒸着膜 ,  *微細構造 ,  電力 ,  *磁場効果 ,  グロー放電 ,  *表面粗さ ,  *硬度 ,  電流 ,  イオン衝突
準シソーラス用語： コイル電流 ,  パルスマグネトロンスパッタリング ,  大電力 ,  *表面硬さ

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： 磁場 ,  増強 ,  高電力 ,  パルス ,  マグネトロンスパッタ法 ,  AlTi ,  薄膜 ,  微細構造 ,  機械的性質