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J-GLOBAL ID：201702234938923817   整理番号：17A0026061

ON条件下で動作するInAlN/GaN HEMTの電気的劣化

Electrical Degradation of InAlN/GaN HEMTs Operating Under ON Conditions

著者 (2件)： Wu Yufei (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA) ,  del Alamo Jesus A. (Microsystems Technology Laboratories, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 9  ページ： 3487-3492  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ミリ波用InAlN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の劣化をオン条件下で調べた。異なる方法でデバイス特性に影響する二つのトラッピングメカニズと共に二つの主要な永久劣化メカニズムを同定した。高電圧低電流ストレス条件で,閾値電圧VTの負性シフトから生じる最大ドレイン電流IDmaxに永久的増加を観察した。このメカニズムを水素化欠陥のデパシベーションが原因とした。同じストレス条件下で,IDmaxを下げドレイン抵抗を増やす,デバイスのドレイン側に顕著な可逆的ホットエレクトロン捕獲がある。低電圧高電流ストレスではIDmaxの永久的低減とVTの正シフトが見られる。これもアンバイアス条件での高温ストレスのサインであり,ゲートシンキングに起因させた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 応力 ,  劣化 ,  論理回路 ,  論理素子 ,  *HEMT ,  *信頼性 ,  化合物半導体 ,  不動態化 ,  暑熱ストレス ,  水素化 ,  トランジスタ ,  窒化アルミニウム ,  電圧 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： InAlN ,  MODFET ,  ストレス【力学】 ,  パッシベーション ,  ミリ波トランジスター ,  ロジックゲート ,  ワイドバンドギャップ半導体 ,  熱ストレス ,  閾値電圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： InAlN ,  GaN ,  HEMT