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J-GLOBAL ID：201702235079038838   整理番号：17A0214334

ナノスケール技術ノードにおけるB TIによるデバイス/回路レベル変動の予測としての成長発生(A G)モデル【Powered by NICT】

Predictive As-grown-Generation (A-G) model for BTI-induced device/circuit level variations in nanoscale technology nodes

著者 (13件)： Gao R. (Liverpool John Moores University) ,  Ji Z. (Liverpool John Moores University) ,  Hatta S. M. (Liverpool John Moores University) ,  Zhang J. F. (Liverpool John Moores University) ,  Franco J. (imec) ,  Kaczer B. (imec) ,  Zhang W. (Liverpool John Moores University) ,  Duan M. (Liverpool John Moores University) ,  De Gendt S. (imec) ,  Linten D. (imec) ,  Groeseneken G. (imec) ,  Bi J. (Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences) ,  Liu M. (Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 31.4.1-31.4.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実際の運転作業負荷の下でのNBTIとPBTI誘起時間依存変動を評価するための新しいモデルを提案した。モデルは,異なるタイプの欠陥の現実的な理解に基づいており,優れた予測能力を持ち,実験データと比較して検証した。添加では,パラメータ抽出のための新しい高速ウエハレベル試験法を開発し,1時間/デバイスへの試験時間を短縮し,ナノスケールデバイスの変動性試験の効率が有意に向上した。モデルを市販のシミュレータに実装し,回路レベルシミュレーションのためのその適用性を実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレータ ,  適応性 ,  *時間依存性 ,  高速度
準シソーラス用語： 試験方法 ,  パラメータ抽出 ,  正バイアス温度不安定性 ,  NBTI ,  *ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  ノード ,  Ti ,  予測 ,  成長 ,  モデル