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J-GLOBAL ID：201702238348262163   整理番号：17A0766953

分子ビームエピタクシーにより成長させたGaAsベースのInAs/GaSb超格子の短波長赤外検出器【Powered by NICT】

GaAs Based InAs/GaSb Superlattice Short Wavelength Infrared Detectors Grown by Molecular Beam Epitaxy

著者 (7件)： TANG Bao (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  XU Ying-Qiang (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  ZHOU Zhi-Qiang (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  HAO Rui-Ting (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  WANG Guo-Wei (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  REN Zheng-Wei (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences) ,  NIU Zhi-Chuan (Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 26  号： 2  ページ： 271-273  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InAs/GaSb超格子(SL)短波長赤外光伝導検出器をGaAs(O01)半絶縁性基板上に分子ビームエピタクシーにより成長させた。異人種間不整合モードA1Sb量子ドット層と厚いGaSb層はバッファ層として成長させた。期間2ML/8ML InAs/GaSb SL活性層を含む検出器は不動態化または反射防止膜を用いずに800×800μm 2ピクセル面積を用いて作製した。300Kで77Kおよび2.25μmで2.05μmの50%カットオフ波長に対応して,検出器のピーク検出能は30OKで77Kと2×10~8cm Hz(1/2)/Wで4×10~9cm Hz(1/2)/Wであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不整合 ,  *アンチモン化ガリウム ,  光伝導 ,  *MBE成長 ,  *波長 ,  量子ドット ,  *超格子 ,  不動態化 ,  *検出器 ,  *ヒ化ガリウム ,  *赤外検出器 ,  反射防止膜 ,  *ヒ化インジウム ,  バッファ層 ,  画素

著者キーワード (1件)： 英語キーワード

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  GaAs ,  InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  短波 ,  赤外検出器