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J-GLOBAL ID：201702240175506036   整理番号：17A0591694

サブ14nmのn型Si FinFETにおける金属-中間層-半導体 ソースドレインの接触抵抗に及ぼす金属窒化物の影響

Impact of Metal Nitrides on Contact Resistivity of Metal-Interlayer-Semiconductor Source/Drain in Sub-14nm n-Type Si FinFET

著者 (6件)： AHN Juhan (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jeong-Kyu (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jong-Kook (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Jinok (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  PARK Jin-Hong (Sungkyunkwan Univ., Suwon, KOR) ,  YU Hyun-Yong (Korea Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 5  ページ： 3084-3088  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンベースCMOSに関する開発研究の一環として,本研究では,n型Si FinFETについて,金属-中間層-半導体(M-I-S)ソースドレイン(S/D)の接触抵抗に及ぼす金属窒化物(TiNおよびTaN)の影響を調べた。その結果に基づいて,n⁺ドープ中間層の構造は,比接触抵抗ρ_cの変化が非常に小さい,比較的小さいρ_cの値(約4×10^-9Ωcm²)を与えることを記した。著者らは,また,三次元技術計算機支援設計(TCAD)シミュレーションを用いて,ρ_cの変化が素子性能に及ぼす影響も記した。

シソーラス用語： *半導体 ,  *ケイ素 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *接触抵抗 ,  *MIS構造 ,  CAD【計算機】 ,  計算機シミュレーション ,  電流電圧特性 ,  層 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  タンタル化合物
準シソーラス用語： FinFET ,  TCAD ,  中間層 ,  窒化チタン ,  窒化タンタル

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： サブ ,  Si ,  FinFET ,  中間層 ,  ソース ,  ドレイン ,  接触抵抗 ,  金属窒化物