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J-GLOBAL ID：201702242724058710   整理番号：17A0449301

エピタキシャルCVDダイヤモンド膜成長速度のその場測定を発現する【Powered by NICT】

Express in situ measurement of epitaxial CVD diamond film growth kinetics

著者 (19件)： Bushuev E.V. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Yurov V.Yu. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Yurov V.Yu. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Bolshakov A.P. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Bolshakov A.P. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Ralchenko V.G. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Ralchenko V.G. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Ralchenko V.G. (Harbin Institute of Technology, Harbin, PR China) ,  Khomich A.A. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Khomich A.A. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Antonova I.A. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Antonova I.A. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Ashkinazi E.E. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Ashkinazi E.E. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Shershulin V.A. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Shershulin V.A. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia) ,  Pashinin V.P. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Konov V.I. (A.M. Prokhorov General Physics Institute of Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia) ,  Konov V.I. (National Research Nuclear University “MEPhI”, Moscow, Russia)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 72  ページ： 61-70  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： は広い範囲の基板温度T(750 1150°C)とCH_4濃度(1 13%)のH_2 CH_4ガス混合物中のマイクロ波プラズマCVDにおけるエピタキシャル単結晶ダイヤモンド層の厚さと成長速度の正確な連続その場測定のための低コヒーレンス干渉法を用いた。一定圧力P=130Torrで異なる領域(基板温度はマイクロ波電力によって制御された)において一つの(100)IbH PHTダイヤモンド基板上に約60層を堆積することによって1回の実験で収集した,プラズマスイッチオフしない豊富な成長速度論。成長速度はArrhenius依存性に従う活性化エネルギーE=11.1±1.0kcal/molであることが分かった。基板温度の適切な選択により成長速度が著しく向上させることができる。82μmμm/hの高い成長速度は温度とガス組成を最適化することによって達成された。低CH_4含量(1%)成長原子状水素によるエッチングと競合では,エッチングは,高いT(>本条件では1000°C)で優勢種であった。純H_2プラズマ中でのエッチング速度を測定し,活性化エネルギーE=9.8±0.8kcal/molを推定した。二量体C_2(Swanバンド)の発光スペクトルから評価したプラズマコアにおけるガス温度T g,は吸収パワーと共に一定またはわずかに単調増加であることが分かったが,吸収されたマイクロ波パワー密度は減少,軽度が,傾向を示した。これは可変マイクロ波電力下でのダイヤモンド成長速度において主要な役割を果たすこと温度依存表面反応を示唆した。生成した多層試料の断面のRamanマッピングは,調べたすべての堆積条件で高品質のダイヤモンド構造を確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *成長速度 ,  表面反応 ,  *ダイヤモンド ,  混合気体 ,  マイクロ波 ,  最適化 ,  コヒーレンス ,  二量体 ,  エッチング ,  活性化エネルギー ,  温度依存性 ,  プラズマ ,  基板温度
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  マイクロ波プラズマCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 単結晶ダイヤモンド ,  マイクロ波プラズマCVD ,  干渉測定 ,  エッチング ,  光発光分光法

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： エピタキシャル ,  CVD ,  ダイヤモンド膜 ,  成長速度 ,  その場測定 ,  発現