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J-GLOBAL ID：201702243199647784   整理番号：17A0854869

分子ビームエピタキシャル成長させたNi_1+xTiSn薄膜の構造と電子的性質【Powered by NICT】

Structural and electronic properties of molecular beam epitaxially grown Ni_1+xTiSn films

著者 (7件)： Rice A.D. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Kawasaki J.K. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Verma N. (Materials Research Laboratory, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Pennachio D.J. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Schultz B.D. (Department of Electrical & Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Palmstrom C.J. (Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA) ,  Palmstrom C.J. (Department of Electrical & Computer Engineering, University of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 467  ページ： 71-76  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体NiTiSnホストマトリックス内の金属フルホイスラーNi_2TiSn析出物の分子ビームエピタキシャル成長を示し,この二相エピタキシャル複合材料の構造的および化学的安定性と電子的性質に及ぼすその影響を検討した。エピタキシャル膜の構造特性をX線回折と透過型電子顕微鏡によるその場反射高エネルギー電子回折とex situでキャラクタライズした。結果は半ホイスラーホストマトリックス内のフルホイスラー秩序をもつ二次相の存在を示した。エピタキシャル膜における親半Heuslerおよび二次完全ホイスラー相の両方がそれらのバルク格子パラメータから歪んでいた。電子特性は低Ni過剰での抵抗率の増加を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 透過型電子顕微鏡 ,  析出物 ,  格子定数 ,  *MBE成長 ,  RHEED ,  *エピタクシー ,  電気抵抗率 ,  構造特性 ,  *薄膜 ,  第二相 ,  複合材料 ,  X線回折 ,  半導体
準シソーラス用語： エピタキシャル膜 ,  化学的安定性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： A3:分子ビームエピタクシー ,  A3:多相材料 ,  B1:ホイスラー化合物 ,  B2:熱電材料

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 分子ビームエピタキシャル成長 ,  薄膜 ,  電子 ,  性質