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J-GLOBAL ID：201702243350678267   整理番号：17A0704158

プラズマ蒸着水素化非晶質シリコン膜:マルチスケールモデル化重要なプロセスを明らかにする【Powered by NICT】

Plasma-deposited hydrogenated amorphous silicon films: multiscale modelling reveals key processes

著者 (5件)： Marvi Z. (Plasma Sources and Applications Centre, NIE, Nanyang Technological University, 637616 Singapore. [e-mail]) ,  Xu S. ,  Foroutan G. ,  Ostrikov K. ,  Levchenko I.
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 31  ページ： 19189-19196  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化非晶質シリコン(a Si:H)薄膜の合成におけるプラズマ種の物理的,化学的機構と役割が重要な成長過程を明らかにし,従って,膜構造と特性の制御のより高いレベルを確保する目的で数値的に研究した。一次元プラズマシース定式化を含む自己無撞着表面とプラズマ動力学サブモデルに基づいて開発した洗練されたマルチスケールモデルを,シラン,水素,アルゴンの混合ガスを含む反応性低温プラズマ環境における非晶質水素化シリコン膜の核形成,成長および構造形成を研究するために用いた。モデルは全範囲の重要な過程を考慮し,表面温度,イオン流束,エネルギーと他のプラズマ-シースパラメータの影響を詳細に調べた。構造形成における水素の主要な役割を確認し,さらに,重要な特性を有する新規材料を設計し,発見するための非常に重要な鍵となるプロセスを同定した。非晶質水素化シリコン膜の蒸着の主要前駆体としてSiH_3の支配的役割を証明し,効率的な,技術可能制御のための経路を特定した。提示された結果は実験データと比較し,非晶質水素化膜の蒸着で得られた実験結果と良好な一致を実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面温度 ,  アルゴン ,  *プラズマCVD ,  イオン電流 ,  混合気体 ,  *水素化 ,  核形成 ,  シラン ,  *プラズマ ,  *アモルファスシリコン ,  構造形成 ,  *水素 ,  反応機構 ,  *非晶質
準シソーラス用語： a-Si:H , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマ蒸着 ,  水素化 ,  非晶質 ,  シリコン膜 ,  マルチスケールモデル ,  プロセス