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J-GLOBAL ID：201702243560842897   整理番号：17A0755592

ドープシリコンナノワイヤチャネル電界効果トランジスタバイオセンサの電気的特性【Powered by NICT】

Electrical Characteristics of Doped Silicon Nanowire Channel Field-Effect Transistor Biosensors

著者 (8件)： Rim Taiuk (Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Kihyun (Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Cho Hyeonsu (Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Jeong Wooju (Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Yoon Jun-Sik (Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Kim Yumi (Department of Creative IT Engineering, Future IT Innovation Laboratory, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea) ,  Meyyappan M. (NASA Ames Research Center, Moffet Field, CA, USA) ,  Baek Chang-Ki (Department of Creative IT Engineering, Department of Electrical Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, South Korea)
資料名： IEEE Sensors Journal  (IEEE Sensors Journal)
巻： 17  号： 3  ページ： 667-673  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1318A  ISSN： 1530-437X  CODEN： ISJEAZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バイオセンシングのための操作条件の最適化は,ドープされたシリコンナノワイヤチャネルトランジスタセンサについて調べた。りんをドープしたハニカムナノワイヤチャネルを有するセンサは,従来のCMOS技術を用いた8インチウエハ上に作製した。低周波雑音特性から,雑音等価ゲート電圧変動は,センサ分解能を評価し,運転条件を最適化した。センサはフラットバンド電圧条件で最大分解能を示した。,ドーパミン,神経伝達物質の検出は,作製したデバイスを用いて示し,1fMの検出限界と2.3mV/log[ドーパミン]~60レベル/log[ドーパミン]の分解能での感度を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  *FET【トランジスタ】 ,  最適化 ,  *バイオセンサ ,  分解能 ,  *ドーピング ,  神経伝達物質 ,  低周波雑音 ,  *電気的性質 ,  リン ,  検出限界 ,  CMOS技術 ,  改変 ,  カテコールアミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： フラットバンド電圧 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  力,仕事量,圧力,摩擦の計測法・機器  (AD05050V)

物質索引 (1件)： ドーパミン

タイトルに関連する用語 (3件)： 電界効果トランジスタ ,  バイオセンサ ,  電気的特性