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J-GLOBAL ID：201702243687781080   整理番号：17A0315802

光触媒TiO_2ナノ膜に及ぼす弾性歪の影響:FeNiCoTi合金基板のマルテンサイト表面レリーフの利用【Powered by NICT】

Elastic strain effects on the photocatalytic TiO₂ nanofilm: Utilizing the martensitic surface relief of FeNiCoTi alloy substrate

著者 (5件)： Du Minshu (Department of Materials Science and Engineering, China University of Petroleum at Beijing, Beijing 102249, China) ,  Du Minshu (Center for Electrochemistry, Department of Chemistry, The University of Texas at Austin, Austin, TX 78712, United States) ,  Wan Qiong (Department of Materials Science and Engineering, China University of Petroleum at Beijing, Beijing 102249, China) ,  Wang Zhongqiang (Department of Materials Science and Engineering, China University of Petroleum at Beijing, Beijing 102249, China) ,  Cui Lishan (Department of Materials Science and Engineering, China University of Petroleum at Beijing, Beijing 102249, China)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 658  ページ： 130-133  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 弾性歪の適用は,半導体のバンドギャップチューニングのための有望なアプローチであるが,歪を導入するための簡単な方法の実現が主要な課題となっている。FeNiCoTi基板のマルテンサイト表面レリーフを用いて歪TiO_2ナノ膜をtensilelyに成功した。光触媒の弾性歪効果も調べた。引張歪は50meV TiO_2ナノ膜のバンドギャップを減少させ,メチルオレンジの33.8%速い光分解速度に寄与することを示したし,また歪TiO_2の水の酸化反応の光電流は無歪ナノ膜のそれより1.4倍高かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  光分解 ,  電気化学 ,  酸化 ,  *マルテンサイト ,  バンドギャップ ,  *光触媒 ,  光電流 ,  *ナノシート ,  スルホン酸 ,  芳香族アミン ,  アゾ化合物 ,  第三アミン
準シソーラス用語： 引張歪 ,  *表面レリーフ ,  *弾性歪 ,  *ナノ薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 弾性歪技術 ,  展望 ,  TiO_2 ,  マルテンサイト相変態 ,  電気化学

分類 (4件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

物質索引 (1件)： メチルオレンジ

タイトルに関連する用語 (6件)： 光触媒 ,  ナノ膜 ,  弾性歪 ,  合金 ,  マルテンサイト ,  表面レリーフ